规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-23-3
型号：
ZXMN3A14FQTA
仓库库存编号：
ZXMN3A14FQTA-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-ECH
型号：
ECH8309-TL-H
仓库库存编号：
ECH8309-TL-H-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7326DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7326DN-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7326DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7326DN-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 21A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2815T1S-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2815T1S-E2-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 17A 8HWSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2816T1S-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2816T1S-E2-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2813T1L-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2813T1L-E2-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 24A 8HWSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 24A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2814T1S-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2814T1S-E2-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4431BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4431BDY-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7810DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7810DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7810DN-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2821T1L-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2821T1L-E1-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 30A 8HVSON
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2812T1L-E2-AT
仓库库存编号：
UPA2812T1L-E2-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 34A 8HVSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 1.5W（Ta） 8-HWSON（3.3x3.3）
型号：
UPA2822T1L-E1-AT
仓库库存编号：
UPA2822T1L-E1-AT-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7804DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7804DN-T1-E3TR-ND
别名：SI7804DN-T1-E3TR
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7804DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7804DN-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4463BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4463BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4463BDY-T1-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7114DN-T1-GE3TR-ND
别名：SI7114DN-T1-GE3TR
SI7114DNT1GE3
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7114DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7114DN-T1-GE3DKR-ND
别名：SI7114DN-T1-GE3DKR
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6469DQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6469DQ-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7230DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7230DN-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7230DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7230DN-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7421DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7421DN-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7806ADN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7806ADN-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4426DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4426DY-T1-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 1.5W（Ta）,
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MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC
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