规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105
仓库库存编号：
IRFU4105-ND
别名：*IRFU4105
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2705
仓库库存编号：
IRLU2705-ND
别名：*IRLU2705
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TRL
仓库库存编号：
IRFR4105TRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TR
仓库库存编号：
IRFR4105TR-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR4105TRR
仓库库存编号：
IRFR4105TRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3303D1
仓库库存编号：
IRL3303D1-ND
别名：*IRL3303D1
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1S
仓库库存编号：
IRL3303D1S-ND
别名：*IRL3303D1S
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1STRL
仓库库存编号：
IRL3303D1STRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2705TRL
仓库库存编号：
IRLR2705TRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2705TR
仓库库存编号：
IRLR2705TR-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRL
仓库库存编号：
IRLR3303TRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRR
仓库库存编号：
IRLR3303TRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 28A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ34EPBF
仓库库存编号：
IRFZ34EPBF-ND
别名：*IRFZ34EPBF
SP001567916
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3303PBF
仓库库存编号：
IRL3303PBF-ND
别名：*IRL3303PBF
SP001568314
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 28A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
64-4092PBF
仓库库存编号：
64-4092PBF-ND
别名：*IRLU2705PBF
IRLU2705PBF
IRLU2705PBF-ND
SP001550660
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3303PBF
仓库库存编号：
IRLU3303PBF-ND
别名：*IRLU3303PBF
SP001577150
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 27A（Tc） 68W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4105PBF
仓库库存编号：
IRFU4105PBF-ND
别名：*IRFU4105PBF
SP001567818
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3303TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3303PBFCT-ND
别名：*IRLR3303TRPBF
IRLR3303PBFCT
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD25N06S2-40
仓库库存编号：
SPD25N06S2-40-ND
别名：SP000013572
SPD25N06S240T
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
型号：
SPD26N06S2L-35
仓库库存编号：
SPD26N06S2L-35-ND
别名：SP000013570
SPD26N06S2L35T
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS050N03LGAKMA1
仓库库存编号：
IPS050N03LGAKMA1-ND
别名：IPS050N03L G
IPS050N03LGIN
IPS050N03LGIN-ND
IPS050N03LGXK
SP000810848
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU050N03L G
仓库库存编号：
IPU050N03LGIN-ND
别名：IPU050N03LGIN
IPU050N03LGXK
SP000271468
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD25N06S240ATMA1
仓库库存编号：
IPD25N06S240ATMA1TR-ND
别名：IPD25N06S2-40
IPD25N06S2-40-ND
SP000252164
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号：
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名：IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP065N04N G
仓库库存编号：
IPP065N04N G-ND
别名：IPP065N04NG
规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
无铅
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