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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP055N03LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP055N03LGXKSA1-ND
  别名：IPP055N03L G
  IPP055N03LGIN
  IPP055N03LGIN-ND
  IPP055N03LGXK
  SP000680806
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 68W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF9N90CT
  仓库库存编号：FQPF9N90CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 68W（Tc） TO-220FM
  
  型号：R6020KNX
  仓库库存编号：R6020KNX-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 20A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 68W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6020KNZC8
  仓库库存编号：R6020KNZC8-ND
  别名：R6020KNZC8TR
  R6020KNZC8TR-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 36A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ457EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ457EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ457EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 68W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR2705TRPBF
  仓库库存编号：IRLR2705PBFCT-ND
  别名：*IRLR2705TRPBF
  IRLR2705PBFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 55A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 55A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ423EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ423EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ423EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA46EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA46EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA46EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA02EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA02EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA02EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA62EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA62EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA62EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJA90EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJA90EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJA90EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 60A SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ409EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ409EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ409EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  TRENCH 6 40V FET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 107A（Tc） 68W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NVTFS5C453NLWFTAG
  仓库库存编号：NVTFS5C453NLWFTAGOSCT-ND
  别名：NVTFS5C453NLWFTAGOSCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ858EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ858EP-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ403EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ403EP-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 40A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ40S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ40S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ40S04M3L(T6L1NQ
  TJ40S04M3LT6L1NQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Ta） 68W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ30S06M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ30S06M3L(T6L1NQ
  TJ30S06M3LT6L1NQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 47A（Tc） 68W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ848EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ848EP-T1_GE3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 26A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 26A（Tc） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB5060L
  仓库库存编号：NDB5060LCT-ND
  别名：NDB5060LCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 68W（Tc） TO-251
  
  型号：DMJ70H900HJ3
  仓库库存编号：DMJ70H900HJ3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S240ATMA2
  仓库库存编号：IPD25N06S240ATMA2-ND
  别名：SP001063628
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.2A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R1K0CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD65R1K0CEAUMA1-ND
  别名：SP001421368
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 27A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD400N06NGBTMA1
  仓库库存编号：IPD400N06NGBTMA1CT-ND
  别名：IPD400N06NG
  IPD400N06NGINCT
  IPD400N06NGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N03LGATMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGATMA1CT-ND
  别名：IPD050N03LGINCT
  IPD050N03LGINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD050N03LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD050N03LGBTMA1-ND
  别名：SP000254716
  
  规格：功率耗散（最大值） 68W（Tc）,
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