规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 4A UF6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 500mW（Ta） UF6
型号：
SSM6J51TUTE85LF
仓库库存编号：
SSM6J51TUTE85LFCT-ND
别名：SSM6J51TU(TE85LF)CT
SSM6J51TU(TE85LF)CT-ND
SSM6J51TUTE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
型号：
SSM6J53FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM6J53FE(TE85LF)CT-ND
别名：SSM6J53FE(TE85LF)CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3K106TU(TE85L)
仓库库存编号：
SSM3K106TU(TE85L)CT-ND
别名：SSM3K106TU(TE85L)CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J108TU(TE85L)
仓库库存编号：
SSM3J108TU(TE85L)-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN359BN
仓库库存编号：
FDN359BNFSCT-ND
别名：FDN359BNFSCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.1A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
PMN35EN,125
仓库库存编号：
568-10800-1-ND
别名：568-10800-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6327
仓库库存编号：
BSS126 E6327-ND
别名：BSS126E6327XT
SP000055447
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126 E6906
仓库库存编号：
BSS126 E6906-ND
别名：BSS126E6906XT
SP000055448
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127 E6327
仓库库存编号：
BSS127 E6327-ND
别名：BSS127 E6327
BSS127 E6327-ND
BSS127E6327XT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6433
仓库库存编号：
BSS138W E6433-ND
别名：BSS138WE6433
SP000014284
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W E6433
仓库库存编号：
SN7002W E6433-ND
别名：SN7002WE6433
SP000014286
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W E6327
仓库库存编号：
BSS138WE6327INCT-ND
别名：BSS138WE6327
BSS138WE6327INCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002W E6327
仓库库存编号：
SN7002WE6327INCT-ND
别名：SN7002WE6327INCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
2N7002 L6327
仓库库存编号：
2N7002 L6327-ND
别名：2N7002L6327HTSA1
SP000408440
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR315PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR315PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR315P L6327
BSR315P L6327-ND
SP000265405
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
SP000265407
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 140mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR92PL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR92PL6327HTSA1TR-ND
别名：BSR92P L6327
BSR92P L6327-ND
SP000265408
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6327
BSS126 L6327-ND
SP000247303
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS126L6906HTSA1
仓库库存编号：
BSS126L6906HTSA1TR-ND
别名：BSS126 L6906
BSS126 L6906-ND
SP000247304
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127L6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS127L6327HTSA1TR-ND
别名：BSS127 L6327
BSS127 L6327-ND
SP000247305
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6327
仓库库存编号：
BSS138W L6327-ND
别名：SP000245411
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138W L6433
仓库库存编号：
BSS138W L6433-ND
别名：SP000245412
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS214NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS214NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS214N L6327
BSS214N L6327-ND
SP000440878
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS214NW L6327
仓库库存编号：
BSS214NW L6327-ND
别名：SP000440880
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSS306NL6327HTSA1TR-ND
别名：BSS306N L6327
BSS306N L6327-ND
SP000442400
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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