规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(239)
分立半导体产品
(239)
筛选品牌
Diodes Incorporated(21)
Fairchild/Micross Components(16)
Infineon Technologies(65)
Kionix Inc.(4)
Nexperia USA Inc.(2)
ON Semiconductor(37)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic Electronic Components(4)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Rohm Semiconductor(2)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(25)
Torex Semiconductor Ltd(7)
Toshiba Semiconductor and Storage(39)
Vishay BC Components(2)
Vishay Beyschlag(2)
Vishay Electro-Films(1)
Vishay Huntington Electric Inc.(1)
Vishay Sfernice(3)
Vishay Siliconix(2)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD314SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSD314SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000917658
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.85A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 850mA（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS352P
仓库库存编号：
NDS352PCT-ND
别名：NDS352PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS356P
仓库库存编号：
NDS356PCT-ND
别名：NDS356PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS335N
仓库库存编号：
NDS335NCT-ND
别名：NDS335NCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3446T1
仓库库存编号：
NTGS3446T1OSCT-ND
别名：NTGS3446T1OSCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3455T1
仓库库存编号：
NTGS3455T1OS-ND
别名：NTGS3455T1OS
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3443T1
仓库库存编号：
NTGS3443T1OS-ND
别名：NTGS3443T1OS
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
含铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.65A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3441T1
仓库库存编号：
NTGS3441T1OS-ND
别名：NTGS3441T1OS
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN336P-NL
仓库库存编号：
FDN336P-NL-ND
别名：376S0091
Q2069479
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS336P
仓库库存编号：
NDS336PCT-ND
别名：NDS336PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
型号：
MTM231100L
仓库库存编号：
MTM231100LCT-ND
别名：MTM231100LCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
型号：
MTM231230L
仓库库存编号：
MTM231230LCT-ND
别名：MTM231230LCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 20V 4.5A SMINI-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.5A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1
型号：
MTM232230L
仓库库存编号：
MTM232230LCT-ND
别名：MTM232230LCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.8A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN361AN
仓库库存编号：
FDN361AN-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN372S
仓库库存编号：
FDN372S-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
BS107PSTOA
仓库库存编号：
BS107PSTOA-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
BS107PSTOB
仓库库存编号：
BS107PSTOB-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 120mA（Ta） 500mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
BS107PSTZ
仓库库存编号：
BS107PSTZ-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
型号：
2SK2963(TE12L,F)
仓库库存编号：
2SK2963FCT-ND
别名：2SK2963FCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN359BN_F095
仓库库存编号：
FDN359BN_F095CT-ND
别名：FDN359BN_F095CT
FDN359BNCT
FDN359BNCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
型号：
2SJ360(F)
仓库库存编号：
2SJ360(F)-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1A（Ta） 500mW（Ta） PW-MINI
型号：
2SJ360(TE12L,F)
仓库库存编号：
2SJ360(TE12L,F)-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-UDFN（1.6x1.6）
型号：
NTLUF4189NZTBG
仓库库存编号：
NTLUF4189NZTBG-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.6A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J129TU(TE85L)
仓库库存编号：
SSM3J129TU(TE85L)CT-ND
别名：SSM3J129TU(TE85L)CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.9A（Ta） 500mW（Ta） UFV
型号：
SSM5H12TU(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM5H12TU(TE85LF)CT-ND
别名：SSM5H12TU(TE85LF)CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
