规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23280F3
仓库库存编号:
CSD23280F3-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD17382F4
仓库库存编号:
CSD17382F4-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 500mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN3067LW-13
仓库库存编号:
DMN3067LW-13-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2501UFB4-7
仓库库存编号:
DMN2501UFB4-7DITR-ND
别名:DMN2501UFB4-7DI
DMN2501UFB4-7DI-ND
DMN2501UFB4-7DITR
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Texas Instruments
20V P-CHANNEL FEMTOFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD25485F5
仓库库存编号:
CSD25485F5-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8809EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8809EDB-T2-E1-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.35A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NTGS3433T1G
仓库库存编号:
NTGS3433T1GOSCT-ND
别名:NTGS3433T1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 500mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUF4189NZTAG
仓库库存编号:
NTLUF4189NZTAG-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A13A0MR
仓库库存编号:
XP151A13A0MR-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NVGS4141NT1G
仓库库存编号:
NVGS4141NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 30V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A11B0MR-G
仓库库存编号:
XP151A11B0MR-G-ND
别名:XP151A11B0MR
XP151A11B0MR-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A12A2MR
仓库库存编号:
XP151A12A2MR-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP152A11E5MR-G
仓库库存编号:
XP152A11E5MR-G-ND
别名:XP152A11E5MR
XP152A11E5MR-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP152A12C0MR
仓库库存编号:
XP152A12C0MR-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Torex Semiconductor Ltd
MOSFET N-CH 20V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP151A13A0MR-G
仓库库存编号:
XP151A13A0MR-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Torex Semiconductor Ltd
MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 500mW(Ta) SOT-23
型号:
XP152A12C0MR-G
仓库库存编号:
XP152A12C0MR-G-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3
型号:
2SK2103T100
仓库库存编号:
2SK2103T100CT-ND
别名:2SK2103T100CT
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Ta) 500mW(Ta) MPT3
型号:
2SK2463T100
仓库库存编号:
2SK2463T100-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J118TU(TE85L)
仓库库存编号:
SSM3J118TU(TE85L)CT-ND
别名:SSM3J118TU(TE85L)CT
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Fairchild/Micross Components
DIE ASSYMERTRICAL FOR FDC6329L
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN340P
仓库库存编号:
FDN340P-DIE-ND
别名:FCFDN340P
FCFDN340P-ND
FDN340P-DIE
FDN340P-ND
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 280mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS138WH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS138WH6433XTMA1-ND
别名:SP000917558
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
BSS816NWH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS816NWH6327XTSA1-ND
别名:SP000917562
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD316SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD316SNH6327XTSA1-ND
别名:BSD316SN H6327
BSD316SN H6327-ND
SP000917668
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 1.4A(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT363-6
型号:
BSD816SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD816SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000917670
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS119NH6433XTMA1-ND
别名:SP000996564
规格:功率耗散(最大值) 500mW(Ta),
无铅
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