规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
型号：
SSM6K211FE,LF
仓库库存编号：
SSM6K211FELFCT-ND
别名：SSM6K211FE(TE85LFCT
SSM6K211FE(TE85LFCT-ND
SSM6K211FELFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23285F5T
仓库库存编号：
296-44809-1-ND
别名：296-44809-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8806DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8806DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8806DB-T2-E1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8817DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8817DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8817DB-T2-E1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN327N
仓库库存编号：
FDN327NCT-ND
别名：FDN327NCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
型号：
DMN2114SN-7
仓库库存编号：
DMN2114SNDICT-ND
别名：DMN2114SNDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
型号：
DMN2112SN-7
仓库库存编号：
DMN2112SNDICT-ND
别名：DMN2112SNDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS351N
仓库库存编号：
NDS351NCT-ND
别名：NDS351NCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN336P
仓库库存编号：
FDN336PCT-ND
别名：FDN336PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
型号：
SSM6J212FE,LF
仓库库存编号：
SSM6J212FELFCT-ND
别名：SSM6J212FE(TE85LFCT
SSM6J212FE(TE85LFCT-ND
SSM6J212FELFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J114TU(T5L,T)
仓库库存编号：
SSM3J114TU(T5LT)CT-ND
别名：SSM3J114TU(T5LT)CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.6A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS355N
仓库库存编号：
NDS355NCT-ND
别名：NDS355NCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） UFV
型号：
SSM5G10TU(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM5G10TU(TE85LF)CT-ND
别名：SSM5G10TU(TE85LF)CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
型号：
DMN100-7-F
仓库库存编号：
DMN100-FDICT-ND
别名：DMN100-FDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
型号：
SSM6J207FE,LF
仓库库存编号：
SSM6J207FELFCT-ND
别名：SSM6J207FE(TE85LFCT
SSM6J207FE(TE85LFCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD316SNL6327XT
仓库库存编号：
BSD316SNL6327XTCT-ND
别名：BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327INCT-ND
BSD316SNL6327
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR302NL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSR302NL6327HTSA1CT-ND
别名：BSR302N L6327CT
BSR302N L6327CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV50UPE,215
仓库库存编号：
1727-1377-1-ND
别名：1727-1377-1
568-10836-1
568-10836-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS127H6327XTSA2
仓库库存编号：
BSS127H6327XTSA2CT-ND
别名：BSS127H6327XTSA2CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS306NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS306NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS306N H6327CT
BSS306N H6327CT-ND
BSS306NH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） 9-DSBGA
型号：
CSD25202W15T
仓库库存编号：
296-37964-1-ND
别名：296-37964-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23381F4T
仓库库存编号：
296-37782-1-ND
别名：296-37782-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SOT-323
型号：
DMN3067LW-7
仓库库存编号：
DMN3067LW-7DICT-ND
别名：DMN3067LW-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN335N
仓库库存编号：
FDN335NCT-ND
别名：FDN335NCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.6A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN306P
仓库库存编号：
FDN306PCT-ND
别名：FDN306P_F095CT
FDN306P_F095CT-ND
FDN306PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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