规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C
详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
型号：
SSM3K72CTC,L3F
仓库库存编号：
SSM3K72CTCL3FCT-ND
别名：SSM3K72CTCL3FCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 500mW（Ta） SC-75，SOT-416
型号：
SSM3K35AFS,LF
仓库库存编号：
SSM3K35AFSLFCT-ND
别名：SSM3K35AFSLFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 20V 800MA CST3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 800mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
型号：
SSM3K56CT,L3F
仓库库存编号：
SSM3K56CTL3FCT-ND
别名：SSM3K56CTL3FCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 0.4A
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 400mA（Ta） 500mW（Ta） X1-DFN1006-3
型号：
DMP32D5SFB-7B
仓库库存编号：
DMP32D5SFB-7BDICT-ND
别名：DMP32D5SFB-7BDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
-20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD25480F3T
仓库库存编号：
296-44126-1-ND
别名：296-44126-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13380F3T
仓库库存编号：
296-45086-1-ND
别名：296-45086-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 5.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J132TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J132TULFCT-ND
别名：SSM3J132TULFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17382F4T
仓库库存编号：
296-44148-1-ND
别名：296-44148-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 4.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13385F5T
仓库库存编号：
296-45087-1-ND
别名：296-45087-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17585F5T
仓库库存编号：
296-45068-1-ND
别名：296-45068-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J117TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J117TULFCT-ND
别名：SSM3J117TULFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 620mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR315PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR315PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR315PH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR606NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR606NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR606NH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
型号：
SSM6J206FE(TE85L,F
仓库库存编号：
SSM6J206FE(TE85LFCT-ND
别名：SSM6J206FE(TE85LFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 0.4A
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） CST3
型号：
SSM3K72KCT,L3F
仓库库存编号：
SSM3K72KCTL3FCT-ND
别名：SSM3K72KCTL3FCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V LGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD25483F4T
仓库库存编号：
296-37783-1-ND
别名：296-37783-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS332P
仓库库存编号：
NDS332PCT-ND
别名：NDS332P-ND
NDS332PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
NDS356AP
仓库库存编号：
NDS356APCT-ND
别名：NDS356APCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） ES6
型号：
SSM6K217FE,LF
仓库库存编号：
SSM6K217FELFCT-ND
别名：SSM6K217FELFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
详细描述：表面贴装 P 沟道 400mA（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
型号：
DMP32D4SFB-7B
仓库库存编号：
DMP32D4SFB-7BDICT-ND
别名：DMP32D4SFB-7BDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 500mW（Ta） SC-59-3
型号：
DMP2012SN-7
仓库库存编号：
DMP2012SNDICT-ND
别名：DMP2012SN7
DMP2012SNDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT363
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 500mW（Ta） SOT-363
型号：
DMN2075UDW-7
仓库库存编号：
DMN2075UDW-7DICT-ND
别名：DMN2075UDW-7DICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.35A（Ta） 500mW（Ta） 3-DFN1006（1.0x0.6）
型号：
DMN2250UFB-7B
仓库库存编号：
DMN2250UFB-7BDICT-ND
别名：DMN2250UFB-7BDICT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD18541F5
仓库库存编号：
296-44374-1-ND
别名：296-44374-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN308P
仓库库存编号：
FDN308PFSCT-ND
别名：FDN308PFSCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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