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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS214NWH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS214NWH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS214NWH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS214NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS214NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS214N H6327CT
  BSS214N H6327CT-ND
  BSS214NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS806NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS806N H6327CT
  BSS806N H6327CT-ND
  BSS806NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS806NEH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS806NEH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS314PEH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS314PEH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS314PE H6327CT
  BSS314PE H6327CT-ND
  BSS314PEH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS119NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS119NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS205NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS205NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS205N H6327CT
  BSS205N H6327CT-ND
  BSS205NH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS315P H6327CT
  BSS315P H6327CT-ND
  BSS315PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS215PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS215PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS215P H6327CT
  BSS215P H6327CT-ND
  BSS215PH6327XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J213FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J213FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J213FE(TE85LFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126H6327XTSA2
  仓库库存编号：BSS126H6327XTSA2CT-ND
  别名：BSS126H6327XTSA2CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8810EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8810EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8810EDB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 4.2A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 500mW（Ta） UF6
  
  型号：SSM6K403TU,LF
  仓库库存编号：SSM6K403TULFCT-ND
  别名：SSM6K403TULF(BCT
  SSM6K403TULF(BCT-ND
  SSM6K403TULFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8816EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8816EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8816EDB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8812DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8812DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8812DB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR202N L6327
  仓库库存编号：BSR202N L6327CT-ND
  别名：BSR202N L6327CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 500mW（Ta） ES6
  
  型号：SSM6J215FE(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6J215FE(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6J215FE(TE85LFCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8805EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8805EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8805EDB-T2-E1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23382F4T
  仓库库存编号：296-37874-1-ND
  别名：296-37874-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13383F4T
  仓库库存编号：296-38621-1-ND
  别名：296-38621-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD25484F4T
  仓库库存编号：296-42131-1-ND
  别名：296-42131-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSS126H6906XTSA1CT-ND
  别名：BSS126 H6906CT
  BSS126 H6906CT-ND
  BSS126H6906XTSA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
  
  型号：RHP030N03T100
  仓库库存编号：RHP030N03T100CT-ND
  别名：RHP030N03T100CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250mA（Ta） 500mW（Ta） SOT-723
  
  型号：SSM3K35AMFV,L3F
  仓库库存编号：SSM3K35AMFVL3FCT-ND
  别名：SSM3K35AMFVL3FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 500mW（Ta） CST3C
  
  型号：SSM3K15ACTC,L3F
  仓库库存编号：SSM3K15ACTCL3FCT-ND
  别名：SSM3K15ACTCL3FCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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