规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13381F4T
仓库库存编号：
296-37779-1-ND
别名：296-37779-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17483F4T
仓库库存编号：
296-37781-1-ND
别名：296-37781-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3443T1G
仓库库存编号：
NTGS3443T1GOSCT-ND
别名：NTGS3443T1GOS
NTGS3443T1GOS-ND
NTGS3443T1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J133TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J133TULFCT-ND
别名：SSM3J133TULFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD23280F3T
仓库库存编号：
296-44150-1-ND
别名：296-44150-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3K116TU,LF
仓库库存编号：
SSM3K116TULFCT-ND
别名：SSM3K116TULFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J120TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J120TULFCT-ND
别名：SSM3J120TU(T5LT)CT
SSM3J120TU(T5LT)CT-ND
SSM3J120TU(TE85L)CT
SSM3J120TU(TE85L)CT-ND
SSM3J120TULFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8802DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8802DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8802DB-T2-E1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3455T1G
仓库库存编号：
NTGS3455T1GOSCT-ND
别名：NTGS3455T1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
型号：
SI8808DB-T2-E1
仓库库存编号：
SI8808DB-T2-E1CT-ND
别名：SI8808DB-T2-E1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
型号：
BSR802N L6327
仓库库存编号：
BSR802N L6327INCT-ND
别名：BSR802N L6327INCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
型号：
SSM3J130TU,LF
仓库库存编号：
SSM3J130TULFCT-ND
别名：SSM3J130TU(TE85L)CT
SSM3J130TU(TE85L)CT-ND
SSM3J130TULFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 500mW（Ta） ES6（1.6x1.6）
型号：
SSM6K202FE,LF
仓库库存编号：
SSM6K202FELFCT-ND
别名：SSM6K202FE(TE85LFCT
SSM6K202FE(TE85LFCT-ND
SSM6K202FE,LFCT
SSM6K202FE,LFCT-ND
SSM6K202FELF
SSM6K202FELFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 3.1A 0402
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17381F4T
仓库库存编号：
296-37780-1-ND
别名：296-37780-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN361BN
仓库库存编号：
FDN361BNCT-ND
别名：FDN361BNCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） SuperSOT-3
型号：
FDN342P
仓库库存编号：
FDN342PCT-ND
别名：FDN342PCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD25481F4T
仓库库存编号：
296-37750-1-ND
别名：296-37750-1
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1-B
型号：
MTM232230LBF
仓库库存编号：
MTM232230LBFCT-ND
别名：MTM232230LBFCT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 500mW（Ta） MPT3
型号：
RHP020N06T100
仓库库存编号：
RHP020N06T100CT-ND
别名：RHP020N06T100CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
2N7002H6327XTSA2
仓库库存编号：
2N7002H6327XTSA2CT-ND
别名：2N7002H6327XTSA2CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSS123NH6433XTMA1CT-ND
别名：BSS123NH6433XTMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 280mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
BSS138WH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS138WH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS138WH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
型号：
SN7002WH6327XTSA1
仓库库存编号：
SN7002WH6327XTSA1CT-ND
别名：SN7002WH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS123NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS123NH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS316NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS316NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS316N H6327CT
BSS316N H6327CT-ND
BSS316NH6327XTSA1CT
规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
无铅
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