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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS308PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS308PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS308PE L6327
  BSS308PE L6327-ND
  SP000442474
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS316NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS316NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS316N L6327
  BSS316N L6327-ND
  SP000442416
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W L6327
  仓库库存编号：SN7002W L6327-ND
  别名：SP000245414
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 230mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：SN7002W L6433
  仓库库存编号：SN7002W L6433-ND
  别名：SP000245413
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS215PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS215PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS215P L6327CT
  BSS215P L6327CT-ND
  BSS215PL6327
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS315PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS315PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS315P L6327CT
  BSS315P L6327CT-ND
  BSS315PL6327
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD214SN L6327
  仓库库存编号：BSD214SN L6327INCT-ND
  别名：BSD214SN L6327INCT
  BSD214SNL6327
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS205NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS205NL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS205N L6327INCT
  BSS205N L6327INCT-ND
  BSS205NL6327
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS127H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS127H6327XTSA1-ND
  别名：BSS127 H6327
  BSS127 H6327-ND
  SP000705718
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS314PEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS314PEL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS314PE L6327
  BSS314PE L6327-ND
  SP000473000
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.3A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS806NL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS806NL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS806N L6327
  BSS806N L6327-ND
  SP000464848
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT323-3
  
  型号：BSS816NW L6327
  仓库库存编号：BSS816NW L6327-ND
  别名：SP000464852
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD314SPEL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSD314SPEL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSD314SPE L6327CT
  BSD314SPE L6327CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
  
  型号：BSD816SNL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSD816SNL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSD816SN L6327CT
  BSD816SN L6327CT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 500mW（Ta）,
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