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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3710ZS
仓库库存编号：
AUIRF3710ZS-ND
别名：SP001522564
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB14NK60ZT4
仓库库存编号：
497-7933-1-ND
别名：497-7933-1
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB12NM50T4
仓库库存编号：
497-5381-1-ND
别名：497-5381-1
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB25NM60ND
仓库库存编号：
497-8473-1-ND
别名：497-8473-1
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3710ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF3710ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRF3710ZSTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1310NPBF
仓库库存编号：
IRF1310NPBF-ND
别名：*IRF1310NPBF
SP001553864
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP130N6F7
仓库库存编号：
497-15889-5-ND
别名：497-15889-5
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 160W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP150MPBF
仓库库存编号：
IRFP150MPBF-ND
别名：SP001552006
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 57A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP70N10
仓库库存编号：
FQP70N10-ND
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 85A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP85N06
仓库库存编号：
FQP85N06-ND
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 160W（Tc） TO-220-3
型号：
SPP16N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP16N50C3XKSA1-ND
别名：SP000681056
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 160W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW16N50C3
仓库库存编号：
SPW16N50C3IN-ND
别名：SP000014472
SPW16N50C3FKSA1
SPW16N50C3IN
SPW16N50C3X
SPW16N50C3XK
SPW16N50C3XTIN
SPW16N50C3XTIN-ND
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-262
型号：
IRF3710ZLPBF
仓库库存编号：
IRF3710ZLPBF-ND
别名：*IRF3710ZLPBF
SP001571360
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），160A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8870
仓库库存编号：
FDB8870FSCT-ND
别名：FDB8870FSCT
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8870_F085
仓库库存编号：
FDP8870_F085-ND
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB088N08
仓库库存编号：
FDB088N08CT-ND
别名：FDB088N08CT
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF3710Z
仓库库存编号：
AUIRF3710Z-ND
别名：SP001522092
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS7540TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7540TRLPBFCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB130N6F7
仓库库存编号：
497-15895-1-ND
别名：497-15895-1
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP12NM50
仓库库存编号：
497-2666-5-ND
别名：497-2666-5
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NK90Z
仓库库存编号：
497-2785-5-ND
别名：497-2785-5
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 160W（Tc） TO-247
型号：
STW9NK95Z
仓库库存编号：
STW9NK95Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 160W（Tc） TO-247-3
型号：
STW9NK90Z
仓库库存编号：
497-2784-5-ND
别名：497-2784-5
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP11NM60
仓库库存编号：
497-2773-5-ND
别名：497-2773-5
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
STB11NM60T4
仓库库存编号：
497-6545-1-ND
别名：497-6545-1
规格：功率耗散（最大值） 160W（Tc）,
无铅
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