以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB146NQ06LT,118
  仓库库存编号：568-2185-1-ND
  别名：568-2185-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB13N50A
  仓库库存编号：IRFB13N50A-ND
  别名：*IRFB13N50A
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：PHB174NQ04LT,118
  仓库库存编号：568-2187-1-ND
  别名：568-2187-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 90A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP90N10V2
  仓库库存编号：FQP90N10V2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH13N80Q
  仓库库存编号：IXFH13N80Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR26N50Q
  仓库库存编号：IXFR26N50Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 50A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（L）
  
  型号：2SK3132(Q)
  仓库库存编号：2SK3132(Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP15N65
  仓库库存编号：FDP15N65-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA46N15_F109
  仓库库存编号：FQA46N15_F109-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 22A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SIHB22N60S-E3
  仓库库存编号：SIHB22N60S-E3TR-ND
  别名：SIHB22N60S-E3TR
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20V 85A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N02-03-E3
  仓库库存编号：SUP85N02-03-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHP30N60E-E3-ND
  别名：SIHP30N60EE3
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB30N60E-E3
  仓库库存编号：SIHB30N60E-E3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12T60PL
  仓库库存编号：785-1700-1-ND
  别名：785-1700-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 900V 7A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 7A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M007A090H
  仓库库存编号：1560-1165-5-ND
  别名：1560-1165-1
  1560-1165-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 800V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 8A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A080H
  仓库库存编号：1560-1170-5-ND
  别名：1560-1170-1
  1560-1170-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
  
  型号：AOT10N60_001
  仓库库存编号：AOT10N60_001-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 210A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：TSM210N06CZ C0G
  仓库库存编号：TSM210N06CZ C0G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 19A（Tc） 250W（Tc） TO-254AA
  
  型号：IRFM460
  仓库库存编号：IRFM460-ND
  别名：Q1134250
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 130A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB3307
  仓库库存编号：IRFB3307-ND
  别名：*IRFB3307
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4410
  仓库库存编号：IRFB4410-ND
  别名：*IRFB4410
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 130A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS3307
  仓库库存编号：IRFS3307-ND
  别名：*IRFS3307
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 96A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS4410
  仓库库存编号：IRFS4410-ND
  别名：*IRFS4410
  SP001571744
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 130A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 130A（Tc） 250W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL3307
  仓库库存编号：IRFSL3307-ND
  别名：*IRFSL3307
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 96A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 250W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4410
  仓库库存编号：IRFSL4410-ND
  别名：*IRFSL4410
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
• 
  
  含铅
• 搜索