规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR15N80Q
仓库库存编号：
IXFR15N80Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR12N100Q
仓库库存编号：
IXFR12N100Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 250W（Tc） ISO264?
型号：
IXKG25N80C
仓库库存编号：
IXKG25N80C-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 9A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR10N100Q
仓库库存编号：
IXFR10N100Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA4
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA4-ND
别名：SP001067870
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80N06S207AKSA4
仓库库存编号：
IPP80N06S207AKSA4-ND
别名：SP001067876
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80N06S207AKSA2
仓库库存编号：
IPI80N06S207AKSA2-ND
别名：SP001067874
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N06S4H1ATMA2
仓库库存编号：
IPB120N06S4H1ATMA2-ND
别名：SP001028782
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N03S4LH0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N03S4LH0ATMA1TR-ND
别名：IPB180N03S4L-H0
IPB180N03S4L-H0-ND
SP000555050
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S4LH0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N04S4LH0ATMA1-ND
别名：SP000979636
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名：IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名：IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N06S4H1ATMA2
仓库库存编号：
IPB180N06S4H1ATMA2-ND
别名：SP001028786
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名：SP001102598
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF6218STRL
仓库库存编号：
AUIRF6218STRLTR-ND
别名：AUIRF6218STRLTR
SP001517990
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名：SP000915592
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N06S4H1AKSA2
仓库库存编号：
IPP120N06S4H1AKSA2-ND
别名：SP001028780
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-1
型号：
IPI120N10S403AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N10S403AKSA1-ND
别名：SP001102584
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB024N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB024N10N5ATMA1-ND
别名：SP001482034
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP024N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP024N06N3GXKSA1-ND
别名：IPP024N06N3 G
IPP024N06N3 G-ND
IPP024N06N3G
SP000680764
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N10S403AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N10S403AKSA1-ND
别名：SP001102564
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 136A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 136A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB060N15N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB060N15N5ATMA1-ND
别名：SP001607814
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20NB50
仓库库存编号：
497-2662-5-ND
别名：497-2662-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW80NE06-10
仓库库存编号：
497-2790-5-ND
别名：497-2790-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
含铅
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