规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(262)
分立半导体产品
(262)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(12)
Fairchild/Micross Components(7)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(2)
Infineon Technologies(77)
IXYS(31)
Nexperia USA Inc.(8)
NXP USA Inc.(8)
ON Semiconductor(1)
STMicroelectronics(61)
Taiwan Semiconductor Corporation(2)
Texas Instruments(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(3)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(25)
Vishay Electro-Films(10)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Siliconix(5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 800V TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK10J80E,S1E
仓库库存编号：
TK10J80ES1E-ND
别名：TK10J80E,S1E(S
TK10J80ES1E
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ48N20T
仓库库存编号：
IXTQ48N20T-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP28N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP28N65E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG16N50C-E3
仓库库存编号：
SIHG16N50C-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA5N100P
仓库库存编号：
IXFA5N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP16N50C-E3
仓库库存编号：
SIHP16N50C-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP24N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHP24N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP5N100P
仓库库存编号：
IXFP5N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 55V 140A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP140N055T2
仓库库存编号：
IXTP140N055T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB16N50C-E3
仓库库存编号：
SIHB16N50C-E3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB24N65ET1-GE3
仓库库存编号：
SIHB24N65ET1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SIHB24N65ET5-GE3
仓库库存编号：
SIHB24N65ET5-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB0690N1507L
仓库库存编号：
FDB0690N1507L-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG24N65E-E3
仓库库存编号：
SIHG24N65E-E3-ND
别名：SIHG24N65EE3
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG30N60E-E3-ND
别名：SIHG30N60EE3
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA6N120P TRL
仓库库存编号：
IXFA6N120P TRL-ND
别名：Q10805674
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH6N120P
仓库库存编号：
IXFH6N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-263
型号：
IXTA3N150HV
仓库库存编号：
IXTA3N150HV-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N150
仓库库存编号：
IXTH3N150-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 22A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N50Q
仓库库存编号：
IXFR24N50Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR24N50
仓库库存编号：
IXFR24N50-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 26A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N50
仓库库存编号：
IXFR26N50-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 67A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR70N15
仓库库存编号：
IXFR70N15-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 13A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-268
型号：
IXFT13N80Q
仓库库存编号：
IXFT13N80Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 60A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 300V 60A（Tc） 250W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR102N30P
仓库库存编号：
IXFR102N30P-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
