规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB011N04NGATMA1
仓库库存编号：
IPB011N04NGATMA1CT-ND
别名：IPB011N04NGATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N04S4H0ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N04S4H0ATMA1CT-ND
别名：IPB180N04S4H0ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4310ZTRL
仓库库存编号：
AUIRFS4310ZTRLCT-ND
别名：AUIRFS4310ZTRLCT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB027N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB027N10N5ATMA1CT-ND
别名：IPB027N10N5ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB20N95K5
仓库库存编号：
497-12850-1-ND
别名：497-12850-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB57N65M5
仓库库存编号：
497-13087-1-ND
别名：497-13087-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15883-5-ND
别名：497-15883-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB40N60M2
仓库库存编号：
497-14963-1-ND
别名：497-14963-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
STP20N95K5
仓库库存编号：
497-12863-5-ND
别名：497-12863-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW20N95K5
仓库库存编号：
497-12872-5-ND
别名：497-12872-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 250W（Tc） TO-3P（N）
型号：
TK9J90E,S1E
仓库库存编号：
TK9J90ES1E-ND
别名：TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP150N10F7
仓库库存编号：
497-14570-5-ND
别名：497-14570-5
STP150N10F7-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG25N50E-GE3
仓库库存编号：
SIHG25N50E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP24N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHP24N65E-GE3-ND
别名：SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-GE3-ND
别名：SIHB30N60EGE3
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG24N65E-GE3
仓库库存编号：
SIHG24N65E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
SIHB28N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHB28N60EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 39A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN057-200B,118
仓库库存编号：
1727-4774-1-ND
别名：1727-4774-1
568-5952-1
568-5952-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI150N10F7
仓库库存编号：
497-15015-5-ND
别名：497-15015-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
型号：
STH130N10F3-2
仓库库存编号：
497-13091-1-ND
别名：497-13091-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19532KTTT
仓库库存编号：
296-43211-1-ND
别名：296-43211-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET NCH 600V 34A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB43N60DM2
仓库库存编号：
STB43N60DM2-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB30N80K5
仓库库存编号：
STB30N80K5-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW40N60M2-4
仓库库存编号：
STW40N60M2-4-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP065N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP065N60E-GE3CT-ND
别名：SIHP065N60E-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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