规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc）
型号：
SIHP30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP30N60E-GE3CT-ND
别名：SIHP30N60E-GE3CT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB21N90K5
仓库库存编号：
497-12851-1-ND
别名：497-12851-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
STB20N90K5
仓库库存编号：
497-17086-1-ND
别名：497-17086-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 53A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB46N30M5
仓库库存编号：
497-14964-1-ND
别名：497-14964-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP6N120P
仓库库存编号：
IXFP6N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB34NM60N
仓库库存编号：
497-12236-1-ND
别名：497-12236-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB25N80K5
仓库库存编号：
497-13640-1-ND
别名：497-13640-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH12N120K5-2
仓库库存编号：
497-15425-1-ND
别名：497-15425-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55.5A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN030-150B,118
仓库库存编号：
1727-4772-1-ND
别名：1727-4772-1
568-5950-1
568-5950-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4310ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4310ZTRLPBFCT-ND
别名：IRFS4310ZTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB015N04N G
仓库库存编号：
IPB015N04N GCT-ND
别名：IPB015N04N GCT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW21N90K5
仓库库存编号：
497-12873-5-ND
别名：497-12873-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247-3
型号：
STW34NM60N
仓库库存编号：
497-10975-5-ND
别名：497-10975-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
AOT10N60
仓库库存编号：
785-1191-5-ND
别名：785-1191-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 48A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP48N20T
仓库库存编号：
IXTP48N20T-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA46N15
仓库库存编号：
FQA46N15FS-ND
别名：FQA46N15-ND
FQA46N15FS
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310ZPBF
仓库库存编号：
IRFB4310ZPBF-ND
别名：SP001570588
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP43N60DM2
仓库库存编号：
497-16342-5-ND
别名：497-16342-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 190A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
TSM190N08CZ C0G
仓库库存编号：
TSM190N08CZ C0G-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 78.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 78.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP90142E_GE3
仓库库存编号：
SQP90142E_GE3-ND
别名：SQP90142E_GE3CT
SQP90142E_GE3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 42A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247-4L
型号：
STW57N65M5-4
仓库库存编号：
497-13667-5-ND
别名：497-13667-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI024N06N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI024N06N3GXKSA1-ND
别名：SP000680644
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 38A
详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB45N40DM2AG
仓库库存编号：
497-16133-1-ND
别名：497-16133-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW30N60E-GE3-ND
别名：SIHW30N60E-GE3CT
SIHW30N60E-GE3CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA2
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND
别名：IPB80N06S2L06ATMA2CT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
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