规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(262)
分立半导体产品
(262)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(12)
Fairchild/Micross Components(7)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Global Power Technologies Group(2)
Infineon Technologies(77)
IXYS(31)
Nexperia USA Inc.(8)
NXP USA Inc.(8)
ON Semiconductor(1)
STMicroelectronics(61)
Taiwan Semiconductor Corporation(2)
Texas Instruments(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(3)
Vishay BC Components(1)
Vishay Beyschlag(25)
Vishay Electro-Films(10)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Semiconductor Diodes Division(3)
Vishay Siliconix(5)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHP35N60E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG24N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG24N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHB35N60E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG30N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG30N60E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP28N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHP28N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG35N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHG35N60E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG28N65EF-GE3
仓库库存编号：
SIHG28N65EF-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220
型号：
STP25N80K5
仓库库存编号：
497-13653-5-ND
别名：497-13653-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW25N80K5
仓库库存编号：
497-13659-5-ND
别名：497-13659-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW40N60M2
仓库库存编号：
497-14203-5-ND
别名：497-14203-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
型号：
STI57N65M5
仓库库存编号：
497-13107-5-ND
别名：497-13107-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STWA57N65M5
仓库库存编号：
497-13604-5-ND
别名：497-13604-5
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN035-150B,118
仓库库存编号：
1727-4773-1-ND
别名：1727-4773-1
568-5951-1
568-5951-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN070-200B,118
仓库库存编号：
1727-4775-1-ND
别名：1727-4775-1
568-5953-1
568-5953-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB28N30TM
仓库库存编号：
FDB28N30TMCT-ND
别名：FDB28N30TMCT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK
详细描述：N 沟道 200A（Ta），170A（Tc） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD18542KTTT
仓库库存编号：
296-44124-1-ND
别名：296-44124-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH170N8F7-2
仓库库存编号：
497-16002-1-ND
别名：497-16002-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN070-200P,127
仓库库存编号：
1727-4662-ND
别名：1727-4662
568-5779
568-5779-5
568-5779-5-ND
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP20N50F
仓库库存编号：
FDP20N50F-ND
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB20N50F
仓库库存编号：
FDB20N50FCT-ND
别名：FDB20N50FCT
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
型号：
STH150N10F7-2
仓库库存编号：
497-14979-1-ND
别名：497-14979-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP015N04NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP015N04NGXKSA1-ND
别名：IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP030N10N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP030N10N5AKSA1-ND
别名：SP001227032
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） DPAK
型号：
STB45N60DM2AG
仓库库存编号：
497-16129-1-ND
别名：497-16129-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
STB42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15896-1-ND
别名：497-15896-1
规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
