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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80N06S207AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N06S207AKSA1-ND
  别名：IPI80N06S2-07
  IPI80N06S2-07-ND
  SP000218817
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S207AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S207AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2-07
  IPP80N06S2-07-ND
  SP000218810
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA1-ND
  别名：IPP80N06S2L-06
  IPP80N06S2L-06-ND
  SP000218824
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP165NQ08T,127
  仓库库存编号：PHP165NQ08T,127-ND
  别名：934062188127
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S4H1ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-H1
  IPB120N06S4-H1-ND
  SP000396274
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N06S4H1ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N06S4H1ATMA1TR-ND
  别名：IPB180N06S4-H1
  IPB180N06S4-H1-ND
  SP000415562
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S4H1AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N06S4H1AKSA1-ND
  别名：IPI120N06S4-H1
  IPI120N06S4-H1-ND
  SP000415620
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S4H1AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06S4H1AKSA1-ND
  别名：IPP120N06S4-H1
  IPP120N06S4-H1-ND
  SP000415698
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB021N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB021N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB021N06N3 GCT
  IPB021N06N3 GCT-ND
  IPB021N06N3G
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4310ZGPBF
  仓库库存编号：IRFB4310ZGPBF-ND
  别名：SP001575544
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 27A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF6218S
  仓库库存编号：AUIRF6218S-ND
  别名：SP001516490
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N06S2L06AKSA2
  仓库库存编号：IPP80N06S2L06AKSA2-ND
  别名：SP001067882
  
  规格：功率耗散（最大值） 250W（Tc）,
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