规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(198)
分立半导体产品
(198)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(11)
Fairchild/Micross Components(2)
Fairchild/ON Semiconductor(1)
Infineon Technologies(38)
IXYS(1)
Kionix Inc.(7)
ON Semiconductor(14)
Renesas Electronics America(3)
Rohm Semiconductor(1)
Sanken(5)
STMicroelectronics(51)
Toshiba Semiconductor and Storage(33)
Vishay BC Components(15)
Vishay Beyschlag(9)
Vishay Electro-Films(1)
Vishay Huntington Electric Inc.(4)
Vishay Sfernice(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N CH 55V 16A SOT 223
详细描述：通孔 N 沟道 55V 16A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRLU024Z
仓库库存编号：
AUIRLU024Z-ND
别名：SP001521312
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 40A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA100N08N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA100N08N3GXKSA1-ND
别名：IPA00N08N3GXKSA1-ND
IPA1-ND00N08N3GXKSA1-ND
IPA100N08N3 G
IPA100N08N3 G-ND
IPA100N08N3G
SP000473900
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 35W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714ZSTRL
仓库库存编号：
IRL3714ZSCTL-ND
别名：*IRL3714ZSTRL
IRL3714ZSCTL
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 20.7A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
SPA20N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000216361
SPA20N60CFD
SPA20N60CFD-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 18A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA65R045C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R045C7XKSA1-ND
别名：SP001080092
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STP11NM60FP
仓库库存编号：
497-3181-5-ND
别名：497-3181-5
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 850V 6.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF8NK85Z
仓库库存编号：
STF8NK85Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 800V 7.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF9NK80Z
仓库库存编号：
497-5108-5-ND
别名：497-5108-5
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF23NM60N
仓库库存编号：
STF23NM60N-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF19NM65N
仓库库存编号：
STF19NM65N-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 40A（Tc） 35W（Tc） DPAK
型号：
STD40N2LH5
仓库库存编号：
497-10018-1-ND
别名：497-10018-1
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 40A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 40A（Tc） 35W（Tc） I-Pak
型号：
STU40N2LH5
仓库库存编号：
STU40N2LH5-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 24A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF32N65M5
仓库库存编号：
497-11396-5-ND
别名：497-11396-5
STF32N65M5-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
STD35N3LH5
仓库库存编号：
497-10956-1-ND
别名：497-10956-1
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 11.0A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF11N65K3
仓库库存编号：
497-12565-5-ND
别名：497-12565-5
STF11N65K3-ND
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI630G
仓库库存编号：
IRFI630G-ND
别名：*IRFI630G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 250V 5.6A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI634G
仓库库存编号：
IRFI634G-ND
别名：*IRFI634G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 400V 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI730G
仓库库存编号：
IRFI730G-ND
别名：*IRFI730G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 200V 4.3A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9630G
仓库库存编号：
IRFI9630G-ND
别名：*IRFI9630G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBC30G
仓库库存编号：
IRFIBC30G-ND
别名：*IRFIBC30G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBE30G
仓库库存编号：
IRFIBE30G-ND
别名：*IRFIBE30G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 900V 1.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF30G
仓库库存编号：
IRFIBF30G-ND
别名：*IRFIBF30G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI630G
仓库库存编号：
IRLI630G-ND
别名：*IRLI630G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 450V 3.4A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI734G
仓库库存编号：
IRFI734G-ND
别名：*IRFI734G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 250V 4.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9634G
仓库库存编号：
IRFI9634G-ND
别名：*IRFI9634G
规格：功率耗散（最大值） 35W（Tc）,
含铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
