以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP22N10
  仓库库存编号：RFP22N10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 38A TO-3PF
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 38A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF47P06
  仓库库存编号：FQAF47P06-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.8A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.8A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF12N60
  仓库库存编号：FQAF12N60-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 12.2A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 12.2A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF17N40
  仓库库存编号：FQAF17N40-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 21.7A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 21.7A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF34N25
  仓库库存编号：FQAF34N25-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 56A TO-3PF
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 56A（Tc） 100W（Tc） TO-3PF
  
  型号：FQAF90N08
  仓库库存编号：FQAF90N08-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SJ162-E
  仓库库存编号：2SJ162-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160V 7A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1058-E
  仓库库存编号：2SK1058-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK2221-E
  仓库库存编号：2SK2221-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 24A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 24A（Tc） 100W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC52N30P
  仓库库存编号：IXFC52N30P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 20A（Ta） 100W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK2993(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK2993(TE24L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Ta） 100W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3068(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3068(TE24L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 105V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 105V 40A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT404
  仓库库存编号：785-1144-5-ND
  别名：785-1144-1
  785-1144-1-ND
  785-1144-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 105V 40A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 105V 40A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT404
  仓库库存编号：785-1144-2-ND
  别名：785-1144-2
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 70A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT462
  仓库库存编号：785-1147-2-ND
  别名：785-1147-2
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 45A（Ta） 100W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK2376(Q)
  仓库库存编号：2SK2376(Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 4A（Ta） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK1119(F)
  仓库库存编号：2SK1119(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 13A（Ta） 100W（Tc） TO-220FL
  
  型号：2SK3403(Q)
  仓库库存编号：2SK3403(Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 32A（Tc） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6414AN-1G
  仓库库存编号：NTD6414AN-1GOS-ND
  别名：NTD6414AN-1G-ND
  NTD6414AN-1GOS
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 110A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 110A（Tc） 100W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT424
  仓库库存编号：AOT424-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：TK12P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK12P60WRVQCT-ND
  别名：TK12P60WRVQCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 100W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK12Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK12Q60WS1VQ-ND
  别名：TK12Q60WS1VQ
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1340-E
  仓库库存编号：2SK1340-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 6A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1341-E
  仓库库存编号：2SK1341-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 8A（Ta） 100W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1342-E
  仓库库存编号：2SK1342-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 100W（Tc）,
• 
  
  无铅
• 搜索