规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247
型号：
IXTJ6N150
仓库库存编号：
IXTJ6N150-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 650V 4A TO276
详细描述：表面贴装 650V 4A（Tc）（165°C） 125W（Tc） TO-276
型号：
2N7636-GA
仓库库存编号：
1242-1147-ND
别名：1242-1147
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号：
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S3L-12
仓库库存编号：
IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD70N12S311ATMA1
仓库库存编号：
IPD70N12S311ATMA1-ND
别名：SP001400108
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P405ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P405ATMA1-ND
别名：SP000652618
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P04P4L04ATMA1-ND
别名：SP000840196
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P04P4L04AKSA1-ND
别名：SP000840200
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD046N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD046N08N5ATMA1-ND
别名：SP001475652
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P405AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P405AKSA1-ND
别名：SP000652620
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名：IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10S3L12AKSA1-ND
别名：IPI70N10S3L-12
IPI70N10S3L-12-ND
SP000427250
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
别名：IPP70N10S3L-12
IPP70N10S3L-12-ND
SP000427252
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI80P04P4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P04P4L04AKSA1-ND
别名：SP000840198
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30AH3045AATMA1
仓库库存编号：
BUZ30AH3045AATMA1CT-ND
别名：BUZ30AH3045AINCT
BUZ30AH3045AINCT-ND
BUZ30AL3045AINCT
BUZ30AL3045AINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB049N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB049N08N5ATMA1-ND
别名：SP001227052
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB12N50C3
仓库库存编号：
SPB12N50C3INCT-ND
别名：SPB12N50C3INCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI12N50C3XKSA1-ND
别名：SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
SPI12N50C3XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 76A（Tc） 125W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL7787PBF
仓库库存编号：
IRFSL7787PBF-ND
别名：SP001576372
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名：SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名：SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP4NB100
仓库库存编号：
497-2647-5-ND
别名：497-2647-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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