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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N60C
仓库库存编号：
FQP6N60C-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 900V 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMN90H8D5HCT
仓库库存编号：
DMN90H8D5HCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG7N65SCT
仓库库存编号：
DMG7N65SCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: >800V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMN95H8D5HCT
仓库库存编号：
DMN95H8D5HCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMG8N65SCT
仓库库存编号：
DMG8N65SCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC110N15NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC110N15NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC110N15NS5ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS10C4D2N
仓库库存编号：
FDMS10C4D2N-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-263AB
型号：
IRF840LPBF
仓库库存编号：
IRF840LPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30STRLPBF
仓库库存编号：
IRFBE30STRLPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRFBF30STRLPBF
仓库库存编号：
IRFBF30STRLPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP3N100P
仓库库存编号：
IXTP3N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 75V 70A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
RJK0703DPN-E0#T2
仓库库存编号：
RJK0703DPN-E0#T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
RJK1003DPN-E0#T2
仓库库存编号：
RJK1003DPN-E0#T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRLPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRRPBF
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRRPBF-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N100P
仓库库存编号：
IXTA3N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
RJK0603DPN-E0#T2
仓库库存编号：
RJK0603DPN-E0#T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30PBF
仓库库存编号：
IRFPF30PBF-ND
别名：*IRFPF30PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH3N100P
仓库库存编号：
IXTH3N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LC
仓库库存编号：
IRF840LC-ND
别名：*IRF840LC
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2R4N120P
仓库库存编号：
IXTP2R4N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA2R4N120P
仓库库存编号：
IXTA2R4N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF30
仓库库存编号：
IRFBF30-ND
别名：*IRFBF30
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH2R4N120P
仓库库存编号：
IXTH2R4N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 125W（Tc） TO-3P
型号：
2SK1835-E
仓库库存编号：
2SK1835-E-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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