规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(324)
分立半导体产品
(324)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(3)
Cree/Wolfspeed(2)
Diodes Incorporated(5)
Fairchild/Micross Components(7)
Fairchild/ON Semiconductor(2)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(78)
IXYS(16)
Nexperia USA Inc.(1)
NXP USA Inc.(5)
ON Semiconductor(15)
Renesas Electronics America(4)
STMicroelectronics(79)
Taiwan Semiconductor Corporation(26)
Toshiba Semiconductor and Storage(5)
Transphorm(2)
Vishay BC Components(4)
Vishay Beyschlag(31)
Vishay Electro-Films(19)
Vishay Huntington Electric Inc.(5)
Vishay Semiconductor Diodes Division(1)
Vishay Sfernice(2)
Vishay Siliconix(8)
Vishay Spectrol(2)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGTR-ND
别名:TSM60N380CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGCT-ND
别名:TSM60N380CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N380CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N380CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N380CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10LF7AG
仓库库存编号:
STD100N10LF7AG-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP15NM60ND
仓库库存编号:
497-8443-5-ND
别名:497-8443-5
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 83A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7787PBF
仓库库存编号:
IRFB7787PBF-ND
别名:SP001570798
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK60ZT4
仓库库存编号:
497-12544-2-ND
别名:497-12544-2
STB9NK60ZT4-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.4A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP9NK65Z
仓库库存编号:
STP9NK65Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STB7NK80Z-1
仓库库存编号:
497-12539-5-ND
别名:497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N65M2
仓库库存编号:
STL24N65M2-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70090E-GE3
仓库库存编号:
SUM70090E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP11NK50Z
仓库库存编号:
497-12604-5-ND
别名:497-12604-5
STP11NK50Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
TSM60N380CZ C0G
仓库库存编号:
TSM60N380CZ C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM70N380CH C5G
仓库库存编号:
TSM70N380CH C5G-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60N380CH C5G
仓库库存编号:
TSM60N380CH C5G-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
STP23NM50N
仓库库存编号:
497-10883-5-ND
别名:497-10883-5
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) ITO-220
型号:
TSM60N380CI C0G
仓库库存编号:
TSM60N380CI C0G-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB15NM60ND
仓库库存编号:
497-8470-1-ND
别名:497-8470-1
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
STB24NM60N
仓库库存编号:
497-11211-1-ND
别名:497-11211-1
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NM60N
仓库库存编号:
497-10306-5-ND
别名:497-10306-5
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW23NM50N
仓库库存编号:
497-10974-5-ND
别名:497-10974-5
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4C60
仓库库存编号:
AOD4C60-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 125W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7618-55,118
仓库库存编号:
BUK7618-55,118-ND
别名:934045250118
BUK7618-55 /T3
BUK7618-55 /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 400V 8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD9N40
仓库库存编号:
785-1386-1-ND
别名:785-1386-1
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-251
型号:
DMG7N65SJ3
仓库库存编号:
DMG7N65SJ3-ND
规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
搜索
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号