规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP12CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI086N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI086N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G-ND
IPI086N10N3G
SP000485982
SP000683070
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD45NF75T4
仓库库存编号：
497-4334-1-ND
别名：497-4334-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A F7 D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB100N6F7
仓库库存编号：
497-15894-1-ND
别名：497-15894-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号：
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名：SP001227050
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL25N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16249-1-ND
别名：497-16249-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc）
型号：
IRF740ASTRLPBF
仓库库存编号：
IRF740ASTRLPBFCT-ND
别名：IRF740ASTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB11NK50ZT4
仓库库存编号：
497-2451-1-ND
别名：497-2451-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90P04P405ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P04P405ATMA1CT-ND
别名：IPD90P04P405ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
IRFS7787TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS7787TRLPBFCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
型号：
STL24N60M2
仓库库存编号：
497-14214-1-ND
别名：497-14214-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
型号：
TK33S10N1Z,LQ
仓库库存编号：
TK33S10N1ZLQCT-ND
别名：TK33S10N1ZLQCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840APBF
仓库库存编号：
IRF840APBF-ND
别名：*IRF840APBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
型号：
SUD70090E-GE3
仓库库存编号：
SUD70090E-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
IRFR8314TRPBF
仓库库存编号：
IRFR8314TRPBFCT-ND
别名：IRFR8314TRPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 184A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLB8314PBF
仓库库存编号：
IRLB8314PBF-ND
别名：64-0101PBF
64-0101PBF-ND
SP001572766
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF30PBF
仓库库存编号：
IRFBF30PBF-ND
别名：*IRFBF30PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N200P3HV-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGTR-ND
别名：TSM038N04LCP ROGTR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGCT-ND
别名：TSM038N04LCP ROGCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 135A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM038N04LCP ROG
仓库库存编号：
TSM038N04LCP ROGDKR-ND
别名：TSM038N04LCP ROGDKR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM026NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM026NA03CR RLGTR-ND
别名：TSM026NA03CR RLGTR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM026NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM026NA03CR RLGCT-ND
别名：TSM026NA03CR RLGCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 168A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM026NA03CR RLG
仓库库存编号：
TSM026NA03CR RLGDKR-ND
别名：TSM026NA03CR RLGDKR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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