规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB083N10N3 G
仓库库存编号：
IPB083N10N3 GCT-ND
别名：IPB083N10N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD082N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD082N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD082N10N3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD40NF10
仓库库存编号：
497-7969-1-ND
别名：497-7969-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB11N60C3
仓库库存编号：
SPB11N60C3INCT-ND
别名：SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3XTINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NK60Z
仓库库存编号：
497-12620-5-ND
别名：497-12620-5
STP9NK60Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740LCPBF
仓库库存编号：
IRF740LCPBF-ND
别名：*IRF740LCPBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA3N50D2
仓库库存编号：
IXTA3N50D2-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI24NM60N
仓库库存编号：
497-12260-ND
别名：497-12260
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP21N65M5
仓库库存编号：
497-10077-5-ND
别名：497-10077-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP24NM60N
仓库库存编号：
497-11229-5-ND
别名：497-11229-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
IRFB7545PBF
仓库库存编号：
IRFB7545PBF-ND
别名：SP001563968
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N10S312AKSA1-ND
别名：IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60C3
仓库库存编号：
SPW11N60C3IN-ND
别名：SP000013728
SPW11N60C3-ND
SPW11N60C3FKSA1
SPW11N60C3IN
SPW11N60C3X
SPW11N60C3XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号：
IRFBC40LCPBF-ND
别名：*IRFBC40LCPBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 70A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号：
TSM120N06LCP ROGTR-ND
别名：TSM120N06LCP ROGTR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 70A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号：
TSM120N06LCP ROGCT-ND
别名：TSM120N06LCP ROGCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 70A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM120N06LCP ROG
仓库库存编号：
TSM120N06LCP ROGDKR-ND
别名：TSM120N06LCP ROGDKR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM024NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM024NA04LCR RLGTR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM024NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM024NA04LCR RLGCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM024NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM024NA04LCR RLGDKR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGTR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGDKR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N380CP ROGTR-ND
别名：TSM70N380CP ROGTR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 700V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N380CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N380CP ROGCT-ND
别名：TSM70N380CP ROGCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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