规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
BUZ30A E3045A
仓库库存编号：
BUZ30A E3045A-ND
别名：BUZ30AE3045AT
SP000011337
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CN10N G
仓库库存编号：
IPP12CN10N G-ND
别名：IPP12CN10NGX
IPP12CN10NGXK
SP000096468
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CNE8N G
仓库库存编号：
IPP12CNE8N G-ND
别名：IPP12CNE8NGX
IPP12CNE8NGXK
SP000096467
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60S5BKSA1-ND
别名：SP000013033
SP000680992
SPI11N60S5
SPI11N60S5-ND
SPI11N60S5IN
SPI11N60S5IN-ND
SPI11N60S5X
SPI11N60S5XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60CFDXKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60CFDXKSA1-ND
别名：SP000681042
SPP11N60CFD
SPP11N60CFD-ND
SPP11N60CFDIN
SPP11N60CFDIN-ND
SPP11N60CFDX
SPP11N60CFDXK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 125W（Tc） P-TO251-3
型号：
SPU30N03S2-08
仓库库存编号：
SPU30N03S2-08-ND
别名：SP000014129
SPU30N03S208X
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU30P06P
仓库库存编号：
SPU30P06PIN-ND
别名：SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW11N60S5FKSA1
仓库库存编号：
SPW11N60S5FKSA1-ND
别名：SP000012462
SPW11N60S5
SPW11N60S5-ND
SPW11N60S5IN
SPW11N60S5IN-ND
SPW11N60S5X
SPW11N60S5XK
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB11N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB11N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB11N60S5INCT
SPB11N60S5INCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB12CN10N G
仓库库存编号：
IPB12CN10N G-ND
别名：SP000096450
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB12CNE8N G
仓库库存编号：
IPB12CNE8N G-ND
别名：SP000096451
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD082N10N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD082N10N3 G
IPD082N10N3 G-ND
SP000485986
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CN10NGBUMA1
仓库库存编号：
IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
别名：IPD12CN10N G
IPD12CN10N G-ND
SP000096476
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD12CNE8N G
仓库库存编号：
IPD12CNE8N G-ND
别名：SP000096477
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI12CN10N G
仓库库存编号：
IPI12CN10N G-ND
别名：SP000208928
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 85V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI12CNE8N G
仓库库存编号：
IPI12CNE8N G-ND
别名：SP000208929
SP000680714
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
详细描述：通孔 N 沟道 100V 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS12CN10LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS12CN10LGBKMA1-ND
别名：IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000229994
SP000680990
SPI11N60CFD
SPI11N60CFD-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS118N10N G
仓库库存编号：
IPS118N10N G-ND
别名：SP000475890
SP000680974
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP12CN10NGXKSA1-ND
别名：SP000680866
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N60C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI11N60C3HKSA1-ND
别名：SP000013522
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI11N65C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI11N65C3HKSA1-ND
别名：SP000014526
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI12N50C3HKSA1
仓库库存编号：
SPI12N50C3HKSA1-ND
别名：SP000014467
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP11N60CFDHKSA1
仓库库存编号：
SPP11N60CFDHKSA1-ND
别名：SP000014533
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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