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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI6N60CTU
  仓库库存编号：FQI6N60CTU-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N60CTM
  仓库库存编号：FQB6N60CTM-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 22A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 22A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP22P10
  仓库库存编号：FQP22P10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 20A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：HUFA75429D3ST
  仓库库存编号：HUFA75429D3ST-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB11N60FTM
  仓库库存编号：FCB11N60FTMCT-ND
  别名：FCB11N60FTMCT
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 125W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC16N50P
  仓库库存编号：IXFC16N50P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8A（Tc） 125W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC14N60P
  仓库库存编号：IXFC14N60P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 3A（Ta） 125W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK2719(F)
  仓库库存编号：2SK2719(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：NTB5412NT4G
  仓库库存编号：NTB5412NT4G-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：NTP5412NG
  仓库库存编号：NTP5412NG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP6N60C_F080
  仓库库存编号：FQP6N60C_F080-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 45A（Ta） 125W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：2SK2744(F)
  仓库库存编号：2SK2744(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：2SK2866(F)
  仓库库存编号：2SK2866(F)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 250V 20A SC-97
  详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 20A（Ta） 125W（Tc） TFP（9.2x10.7）
  
  型号：2SK3388(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3388(TE24L,Q)-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 125W（Tc） TO-251A
  
  型号：AOI4C60
  仓库库存编号：785-1648-5-ND
  别名：785-1648-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 21A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ30A
  仓库库存编号：BUZ30AIN-ND
  别名：BUZ30AIN
  BUZ30AX
  BUZ30AXK
  BUZ30AXTIN
  BUZ30AXTIN-ND
  SP000011336
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 11A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP11N60S5HKSA1
  仓库库存编号：SPP11N60S5HKSA1-ND
  别名：SPP11N60S5
  SPP11N60S5IN
  SPP11N60S5IN-ND
  SPP11N60S5X
  SPP11N60S5XTIN
  SPP11N60S5XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW12N50C3FKSA1
  仓库库存编号：SPW12N50C3FKSA1-ND
  别名：SP000014469
  SPW12N50C3
  SPW12N50C3IN
  SPW12N50C3IN-ND
  SPW12N50C3X
  SPW12N50C3XK
  SPW12N50C3XTIN
  SPW12N50C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 560V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP12N50C3HKSA1
  仓库库存编号：SPP12N50C3HKSA1-ND
  别名：SP000014459
  SPP12N50C3
  SPP12N50C3IN
  SPP12N50C3IN-ND
  SPP12N50C3X
  SPP12N50C3XK
  SPP12N50C3XTIN
  SPP12N50C3XTIN-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD30P06P
  仓库库存编号：SPD30P06PINCT-ND
  别名：SPD30P06PINCT
  SPD30P06PXTINCT
  SPD30P06PXTINCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 57A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 57A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9518-55,127
  仓库库存编号：BUK9518-55,127-ND
  别名：934045210127
  BUK9518-55
  BUK9518-55-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 14A（Tc） 125W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD14NQ20T,118
  仓库库存编号：PHD14NQ20T,118-ND
  别名：934057072118
  PHD14NQ20T /T3
  PHD14NQ20T /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 14A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP14NQ20T,127
  仓库库存编号：PHP14NQ20T,127-ND
  别名：934055683127
  PHP14NQ20T
  PHP14NQ20T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 75A（Tc） 125W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN005-25D,118
  仓库库存编号：PSMN005-25D,118-ND
  别名：934055816118
  PSMN005-25D /T3
  PSMN005-25D /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 125W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN010-55D,118
  仓库库存编号：PSMN010-55D,118-ND
  别名：934055819118
  PSMN010-55D /T3
  PSMN010-55D /T3-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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