规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI15NM60ND
仓库库存编号：
STI15NM60ND-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
STW22NM60N
仓库库存编号：
497-10998-5-ND
别名：497-10998-5
STW22NM60N-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 78A（Tc） 125W（Tc） DPAK
型号：
STD78N75F4
仓库库存编号：
497-10410-1-ND
别名：497-10410-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 15A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP20NM65N
仓库库存编号：
497-11872-5-ND
别名：497-11872-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840
仓库库存编号：
IRF840IR-ND
别名：*IRF840
IRF840IR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740
仓库库存编号：
IRF740IR-ND
别名：*IRF740
IRF740IR
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 200V 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9640
仓库库存编号：
IRF9640-ND
别名：*IRF9640
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE30
仓库库存编号：
IRFPE30-ND
别名：*IRFPE30
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 900V 3.6A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPF30
仓库库存编号：
IRFPF30-ND
别名：*IRFPF30
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG30
仓库库存编号：
IRFPG30-ND
别名：*IRFPG30
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE30
仓库库存编号：
IRFBE30-ND
别名：*IRFBE30
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG30
仓库库存编号：
IRFBG30-ND
别名：*IRFBG30
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 250V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF644
仓库库存编号：
IRF644-ND
别名：*IRF644
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740A
仓库库存编号：
IRF740A-ND
别名：*IRF740A
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 8.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 450V 8.8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF744
仓库库存编号：
IRF744-ND
别名：*IRF744
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840A
仓库库存编号：
IRF840A-ND
别名：*IRF840A
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF840L
仓库库存编号：
IRF840L-ND
别名：*IRF840L
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40
仓库库存编号：
IRFBC40-ND
别名：*IRFBC40
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40A
仓库库存编号：
IRFBC40A-ND
别名：*IRFBC40A
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40AS
仓库库存编号：
IRFBC40AS-ND
别名：*IRFBC40AS
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 200V 17A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL640
仓库库存编号：
IRL640-ND
别名：*IRL640
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 400V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740LC
仓库库存编号：
IRF740LC-ND
别名：*IRF740LC
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRL
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRL-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC40ASTRR
仓库库存编号：
IRFBC40ASTRR-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 6.2A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC40LCL
仓库库存编号：
IRFBC40LCL-ND
别名：*IRFBC40LCL
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
含铅
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