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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
型号：
STD70N10F4
仓库库存编号：
497-8806-1-ND
别名：497-8806-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP5NK100Z
仓库库存编号：
497-4382-5-ND
别名：497-4382-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840PBF
仓库库存编号：
IRF840PBF-ND
别名：*IRF840PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF640PBF
仓库库存编号：
IRF640PBF-ND
别名：*IRF640PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740PBF
仓库库存编号：
IRF740PBF-ND
别名：*IRF740PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP100N6F7
仓库库存编号：
497-15888-5-ND
别名：497-15888-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30NF20
仓库库存编号：
497-5825-5-ND
别名：497-5825-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220-3
型号：
FCP11N60F
仓库库存编号：
FCP11N60FFS-ND
别名：FCP11N60F-ND
FCP11N60FFS
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
C2M0160120D
仓库库存编号：
C2M0160120D-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
C3M0065090D
仓库库存编号：
C3M0065090D-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Transphorm
GAN FET 650V 36A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） TO-247
型号：
TPH3205WSB
仓库库存编号：
TPH3205WSB-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号：
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名：IPD90P04P4L04ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.9A（Ta），90A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号：
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名：BSC320N20NS3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号：
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名：BSC600N25NS3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF644PBF
仓库库存编号：
IRF644PBF-ND
别名：*IRF644PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE30PBF
仓库库存编号：
IRFBE30PBF-ND
别名：*IRFBE30PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9640PBF
仓库库存编号：
IRF9640PBF-ND
别名：*IRF9640PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
STB9NK80Z
仓库库存编号：
497-13936-1-ND
别名：497-13936-1
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG30PBF
仓库库存编号：
IRFBG30PBF-ND
别名：*IRFBG30PBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740APBF
仓库库存编号：
IRF740APBF-ND
别名：*IRF740APBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 650V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） TO-220
型号：
STP15N65M5
仓库库存编号：
497-12936-5-ND
别名：497-12936-5
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBE30SPBF
仓库库存编号：
IRFBE30SPBF-ND
别名：*IRFBE30SPBF
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD30P06P G
仓库库存编号：
SPD30P06P GCT-ND
别名：SPD30P06P GCT
规格：功率耗散（最大值） 125W（Tc）,
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