规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(307)
分立半导体产品
(307)
筛选品牌
Central Semiconductor Corp(1)
Fairchild/Micross Components(30)
Fairchild/ON Semiconductor(3)
Infineon Technologies(110)
IXYS(2)
NXP USA Inc.(1)
Rohm Semiconductor(1)
STMicroelectronics(143)
Taiwan Semiconductor Corporation(9)
Toshiba Semiconductor and Storage(3)
Vishay Electro-Films(2)
Vishay Semiconductor Opto Division(1)
Vishay Spectrol(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL8113S
仓库库存编号:
IRL8113S-ND
别名:*IRL8113S
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU2905Z
仓库库存编号:
IRLU2905Z-ND
别名:*IRLU2905Z
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307Z
仓库库存编号:
IRFR2307Z-ND
别名:*IRFR2307Z
SP001552080
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2607Z
仓库库存编号:
IRFR2607Z-ND
别名:*IRFR2607Z
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU15N20DPBF
仓库库存编号:
IRFU15N20DPBF-ND
别名:*IRFU15N20DPBF
SP001576362
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3402PBF
仓库库存编号:
IRL3402PBF-ND
别名:*IRL3402PBF
SP001558674
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFR2307ZPBF-ND
别名:*IRFR2307ZPBF
SP001564942
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRL8113LPBF
仓库库存编号:
IRL8113LPBF-ND
别名:*IRL8113LPBF
SP001569020
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402SPBF
仓库库存编号:
IRL3402SPBF-ND
别名:SP001568332
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2905ZPBF
仓库库存编号:
IRFU2905ZPBF-ND
别名:*IRFU2905ZPBF
SP001550254
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 49A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44N,127
仓库库存编号:
IRFZ44N,127-ND
别名:934055538127
IRFZ44NP
IRFZ44NP-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 31A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5305CPBF
仓库库存编号:
IRFR5305CPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215CPBF
仓库库存编号:
IRFR6215CPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 80V 38A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3518-701PBF
仓库库存编号:
IRFU3518-701PBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCPBF
仓库库存编号:
IRFR13N20DCPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCTRRP
仓库库存编号:
IRFR13N20DCTRRP-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR13N20DCTRLP
仓库库存编号:
IRFR13N20DCTRLP-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 79A(Tc) 110W(Tc) TO-262
型号:
IRF1018ESLPBF
仓库库存编号:
IRF1018ESLPBF-ND
别名:SP001550908
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 56A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU1018EPBF
仓库库存编号:
IRFU1018EPBF-ND
别名:SP001565188
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2307ZPBF
仓库库存编号:
IRFU2307ZPBF-ND
别名:SP001565178
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU2607ZPBF
仓库库存编号:
IRFU2607ZPBF-ND
别名:SP001576352
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 85A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3402STRLPBF
仓库库存编号:
IRL3402STRLPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 105A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRL8113STRLPBF
仓库库存编号:
IRL8113STRLPBFCT-ND
别名:IRL8113STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2307Z
仓库库存编号:
AUIRFR2307Z-ND
别名:SP001522814
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR2607Z
仓库库存编号:
AUIRFR2607Z-ND
别名:SP001517366
规格:功率耗散(最大值) 110W(Tc),
无铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号