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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 41A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF120NF10
  仓库库存编号：497-12567-5-ND
  别名：497-12567-5
  STF120NF10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK25A60X,S5X
  仓库库存编号：TK25A60XS5X-ND
  别名：TK25A60X,S5X(M
  TK25A60XS5X
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK25A60X5,S5X
  仓库库存编号：TK25A60X5S5X-ND
  别名：TK25A60X5,S5X(M
  TK25A60X5S5X
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 23A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ158EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ158EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 15A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ148EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ148EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 23A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ476EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ476EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 600V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD2LN60K3
  仓库库存编号：497-13390-1-ND
  别名：497-13390-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD4NK50ZT4
  仓库库存编号：497-4103-1-ND
  别名：497-4103-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD5N60DM2
  仓库库存编号：497-16928-1-ND
  别名：497-16928-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 27A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ416EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ416EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ465EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ465EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ465EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 2.75 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD3LN80K5
  仓库库存编号：497-16927-1-ND
  别名：497-16927-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB3N62K3
  仓库库存编号：497-8476-1-ND
  别名：497-8476-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ850EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ850EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ850EP-T1_GE3CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） DPAK
  
  型号：STD8NM50N
  仓库库存编号：497-10958-1-ND
  别名：497-10958-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB7ANM60N
  仓库库存编号：497-13935-1-ND
  别名：497-13935-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W5,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60W5S5VX-ND
  别名：TK20A60W5,S5VX(M
  TK20A60W5,S5VX-ND
  TK20A60W5S5VX
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60W,S5VX
  仓库库存编号：TK20A60WS5VX-ND
  别名：ASTK20A60W,S5VX(M
  TK20A60W,S5VX(M
  TK20A60WS5VX
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220FM
  
  型号：RDX100N60FU6
  仓库库存编号：RDX100N60FU6-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK20A60U(Q,M)
  仓库库存编号：TK20A60UQM-ND
  别名：TK20A60U(Q)
  TK20A60UQ
  TK20A60UQ-ND
  TK20A60UQM
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 45W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN7R5-30MLDX
  仓库库存编号：1727-1794-1-ND
  别名：1727-1794-1
  568-11377-1
  568-11377-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y113-100E,115
  仓库库存编号：1727-1854-1-ND
  别名：1727-1854-1
  568-11545-1
  568-11545-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 45W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y72-80E,115
  仓库库存编号：1727-1813-1-ND
  别名：1727-1813-1
  568-11427-1
  568-11427-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 27A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP27N3LH5
  仓库库存编号：497-9095-5-ND
  别名：497-9095-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 13.2A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 13.2A（Tc） 45W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF22P10
  仓库库存编号：FQPF22P10-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 45W（Tc）,
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