规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号：
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名：SP001273092
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB60R600P6ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R600P6ATMA1-ND
别名：SP001313874
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7A（Tc） 63W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号：
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名：SP000895212
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号：
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名：IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD60R650CEATMA1
仓库库存编号：
IPD60R650CEATMA1CT-ND
别名：IPD60R650CEATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600P6XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R600P6XKSA1-ND
别名：IPP60R600P6
IPP60R600P6-ND
SP001017054
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP60R600E6
仓库库存编号：
IPP60R600E6-ND
别名：IPP60R600E6XKSA1
SP000797630
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R600C6XKSA1-ND
别名：IPI65R600C6
IPI65R600C6-ND
SP000850504
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R600E6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R600E6XKSA1-ND
别名：IPP65R600E6
IPP65R600E6-ND
SP000850500
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R600C6XKSA1
仓库库存编号：
IPP65R600C6XKSA1-ND
别名：IPP65R600C6
IPP65R600C6-ND
SP000661310
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 150V 6.4A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N15
仓库库存编号：
FQP6N15-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.5A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7N20L
仓库库存编号：
FQP7N20L-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 500V 1.5A（Tc） 63W（Tc） TO-220
型号：
FQP1P50
仓库库存编号：
FQP1P50-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 400V 2A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP2P40
仓库库存编号：
FQP2P40-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 250V 5.5A（Tc） 63W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP6N25
仓库库存编号：
FQP6N25-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 78A（Tc） 63W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN5R9-30YL,115
仓库库存编号：
568-6903-1-ND
别名：568-6903-1
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30V 76A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI3803
仓库库存编号：
IRLI3803-ND
别名：*IRLI3803
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 58A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI2505
仓库库存编号：
IRLI2505-ND
别名：*IRLI2505
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 41A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4905
仓库库存编号：
IRFI4905-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI2910
仓库库存编号：
IRLI2910-ND
别名：*IRLI2910
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU09N03LA G
仓库库存编号：
IPU09N03LAGIN-ND
别名：IPU09N03LA
IPU09N03LAGIN
IPU09N03LAGX
IPU09N03LAGXTIN
IPU09N03LAGXTIN-ND
IPU09N03LAIN
IPU09N03LAIN-ND
SP000017511
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP09N03LA
仓库库存编号：
IPP09N03LAIN-ND
别名：IPP09N03LAIN
IPP09N03LAX
IPP09N03LAX-ND
SP000014031
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB09N03LA
仓库库存编号：
IPB09N03LAINTR-ND
别名：IPB09N03LAINTR
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD09N03LA G
仓库库存编号：
IPD09N03LAGINCT-ND
别名：IPD09N03LAGINCT
IPD09N03LAGXTINCT
IPD09N03LAGXTINCT-ND
IPD09N03LAINCT
IPD09N03LAINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 30V 76A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI3803PBF
仓库库存编号：
IRLI3803PBF-ND
别名：*IRLI3803PBF
SP001567250
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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