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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD390N15ALZ
仓库库存编号：
FDD390N15ALZCT-ND
别名：FDD390N15ALZCT
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB600CP ROGTR-ND
别名：TSM60NB600CP ROGTR
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB600CP ROGCT-ND
别名：TSM60NB600CP ROGCT
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM60NB600CP ROG
仓库库存编号：
TSM60NB600CP ROGDKR-ND
别名：TSM60NB600CP ROGDKR
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 51A（Tc） 63W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86183
仓库库存编号：
FDMS86183CT-ND
别名：FDMS86183CT
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 63W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM60NB600CH C5G
仓库库存编号：
TSM60NB600CH C5G-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW6N120K3
仓库库存编号：
497-12122-ND
别名：497-12122
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW12N120K5
仓库库存编号：
STFW12N120K5-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 63W（Tc） DPAK
型号：
TK60P03M1,RQ(S
仓库库存编号：
TK60P03M1RQ(S-ND
别名：TK60P03M1RQ(S
TK60P03M1RQS
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R1K4CEATMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEATMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R4N100P
仓库库存编号：
IXTY1R4N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1R4N100P
仓库库存编号：
IXTP1R4N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 63W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1R4N100P
仓库库存编号：
IXTA1R4N100P-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP1N120P
仓库库存编号：
IXTP1N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 63W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1N120P
仓库库存编号：
IXTA1N120P-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC90N04S53R6ATMA1
仓库库存编号：
IPC90N04S53R6ATMA1-ND
别名：SP001418114
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-251-3
型号：
IPU80R1K4CEAKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4CEAKMA1-ND
别名：SP001593930
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N04S309ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N04S309ATMA1TR-ND
别名：IPD50N04S3-09
IPD50N04S3-09-ND
SP000415582
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC60N04S406ATMA1
仓库库存编号：
IPC60N04S406ATMA1-ND
别名：SP001121640
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 63W（Tc） PG-TDSON-8-23
型号：
IPC60N04S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPC60N04S4L06ATMA1-ND
别名：SP001161210
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Tc） 63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名：SP001227056
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU60R600C6AKMA1
仓库库存编号：
IPU60R600C6AKMA1-ND
别名：SP001292878
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.3A（Tc） 63W（Tc） TO-252
型号：
IPD60R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117094
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号：
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名：SP001117096
规格：功率耗散（最大值） 63W（Tc）,
无铅
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