规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 170A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 170A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF2204LPBF
仓库库存编号:
IRF2204LPBF-ND
别名:*IRF2204LPBF
SP001574580
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1503LPBF
仓库库存编号:
IRF1503LPBF-ND
别名:*IRF1503LPBF
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 135A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF2805LPBF
仓库库存编号:
IRF2805LPBF-ND
别名:*IRF2805LPBF
SP001571164
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 106A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3808LPBF
仓库库存编号:
IRF3808LPBF-ND
别名:*IRF3808LPBF
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405LPBF
仓库库存编号:
IRF1405LPBF-ND
别名:*IRF1405LPBF
SP001550918
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 63A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9620-100A,118
仓库库存编号:
BUK9620-100A,118-ND
别名:934055653118
BUK9620-100A /T3
BUK9620-100A /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB143NQ04T,118
仓库库存编号:
PHB143NQ04T,118-ND
别名:934058537118
PHB143NQ04T /T3
PHB143NQ04T /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP110NQ06LT,127
仓库库存编号:
PHP110NQ06LT,127-ND
别名:934058556127
PHP110NQ06LT
PHP110NQ06LT-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP112N06T,127
仓库库存编号:
PHP112N06T,127-ND
别名:934056647127
PHP112N06T
PHP112N06T-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP119NQ06T,127
仓库库存编号:
PHP119NQ06T,127-ND
别名:934058552127
PHP119NQ06T
PHP119NQ06T-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP129NQ04LT,127
仓库库存编号:
PHP129NQ04LT,127-ND
别名:934058555127
PHP129NQ04LT
PHP129NQ04LT-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
PHP143NQ04T,127
仓库库存编号:
PHP143NQ04T,127-ND
别名:934058538127
PHP143NQ04T
PHP143NQ04T-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB112N06T,118
仓库库存编号:
PHB112N06T,118-ND
别名:934056648118
PHB112N06T /T3
PHB112N06T /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
PHB119NQ06T,118
仓库库存编号:
PHB119NQ06T,118-ND
别名:934058551118
PHB119NQ06T /T3
PHB119NQ06T /T3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3515STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3515STRLPBFCT-ND
别名:IRF3515STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 75A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1503STRRPBF
仓库库存编号:
IRF1503STRRPBF-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
64-2105PBF
仓库库存编号:
64-2105PBF-ND
别名:IRF1404ZLPBF
IRF1404ZLPBF-ND
SP001519330
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 88A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410PBF
仓库库存编号:
IRFSL4410PBF-ND
别名:SP001550234
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 100A(Tc) 200W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100P03P3L-04
仓库库存编号:
IPI100P03P3L-04-ND
别名:SP000311117
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 30V 100A(Tc) 200W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100P03P3L-04
仓库库存编号:
IPP100P03P3L-04-ND
别名:SP000311114
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRL1404ZS
仓库库存编号:
AUIRL1404ZS-ND
别名:SP001520668
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 135A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF2805S
仓库库存编号:
AUIRF2805S-ND
别名:SP001519486
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 106A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3808S
仓库库存编号:
AUIRF3808S-ND
别名:SP001519466
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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