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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 43A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 400V 43A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK4018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK4018DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 450V 39A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 450V 39A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK4518DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK4518DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 35A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 35A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK5018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5018DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 40A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK5020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK5020DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6018DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 32A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 32A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJK6020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJK6020DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 38A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 38A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJL5020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL5020DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 27A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 27A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJL6018DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL6018DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Ta) 200W(Tc) TO-3P
型号:
RJL6020DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL6020DPK-00#T0-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803
仓库库存编号:
IRL3803-ND
别名:*IRL3803
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3515S
仓库库存编号:
IRF3515S-ND
别名:*IRF3515S
SP001564642
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 57A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710STRR
仓库库存编号:
IRF3710STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004
仓库库存编号:
IRL1004-ND
别名:*IRL1004
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB41N15D
仓库库存编号:
IRFB41N15D-ND
别名:*IRFB41N15D
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 84A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF1010EL
仓库库存编号:
IRF1010EL-ND
别名:*IRF1010EL
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205L
仓库库存编号:
IRF3205L-ND
别名:*IRF3205L
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3515L
仓库库存编号:
IRF3515L-ND
别名:*IRF3515L
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 57A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3710L
仓库库存编号:
IRF3710L-ND
别名:*IRF3710L
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 84A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1010ESTRR
仓库库存编号:
IRF1010ESTRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405S
仓库库存编号:
IRF1405S-ND
别名:*IRF1405S
SP001561508
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 131A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405STRR
仓库库存编号:
IRF1405STRR-ND
别名:SP001564256
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205STRR
仓库库存编号:
IRF3205STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3515STRL
仓库库存编号:
IRF3515STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 41A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3515STRR
仓库库存编号:
IRF3515STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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MOSFET N-CH 20V 174A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 174A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
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IRF1302S
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别名:*IRF1302S
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规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
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