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IXYS
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 200W（Tc） TO-263HV
型号：
IXFA8N85XHV
仓库库存编号：
IXFA8N85XHV-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-262AA
型号：
HUF75639S3
仓库库存编号：
HUF75639S3-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
HUFA75639S3ST_F085A
仓库库存编号：
HUFA75639S3ST_F085ACT-ND
别名：HUFA75639S3ST_F085ACT
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75639S3ST
仓库库存编号：
HUFA75639S3STCT-ND
别名：HUFA75639S3STCT
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRF1404Z
仓库库存编号：
AUIRF1404Z-ND
别名：SP001520218
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH145N8F7-2AG
仓库库存编号：
497-16315-1-ND
别名：497-16315-1
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7620-100A,118
仓库库存编号：
1727-7166-1-ND
别名：1727-7166-1
568-9651-1
568-9651-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3710STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3710STRLPBFCT-ND
别名：IRF3710STRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
AUIRF1404ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF1404ZSTRLCT-ND
别名：AUIRF1404ZSTRLCT
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL2910PBF
仓库库存编号：
IRL2910PBF-ND
别名：*IRL2910PBF
SP001576496
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP8N85X
仓库库存编号：
IXFP8N85X-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 370A（Tc） 200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C404NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C404NLWFAFT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5C604NLWFAFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT-ND
别名：NVMFS5C604NLWFAFT1GOSCT
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PWR MOS ULTRAFET 100V/53A/0.025
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-220-3
型号：
HUF75639P3_F102
仓库库存编号：
HUF75639P3_F102-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA12N50P
仓库库存编号：
IXTA12N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP120N04T2
仓库库存编号：
IXTP120N04T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 180A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Ta） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
NDBA180N10BT4H
仓库库存编号：
NDBA180N10BT4H-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA120N04T2
仓库库存编号：
IXTA120N04T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP32N20T
仓库库存编号：
IXTP32N20T-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-247
型号：
HUF75639G3
仓库库存编号：
HUF75639G3FS-ND
别名：HUF75639G3-ND
HUF75639G3FS
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32N20T
仓库库存编号：
IXTA32N20T-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP12N50P
仓库库存编号：
IXFP12N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP10N60P
仓库库存编号：
IXFP10N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP42N15T
仓库库存编号：
IXTP42N15T-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA10N60P
仓库库存编号：
IXTA10N60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 200W（Tc）,
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