规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220
型号:
STP110N8F6
仓库库存编号:
497-16019-5-ND
别名:497-16019-5
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3307TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3307TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3307TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3307PBF
仓库库存编号:
IRFB3307PBF-ND
别名:*IRFB3307PBF
SP001555972
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410PBF
仓库库存编号:
IRFB4410PBF-ND
别名:*IRFB4410PBF
SP001556060
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 43A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 43A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3415PBF
仓库库存编号:
IRFP3415PBF-ND
别名:*IRFP3415PBF
SP001566972
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 200W(Tc) TO-220
型号:
STP140N8F7
仓库库存编号:
497-14569-5-ND
别名:497-14569-5
STP140N8F7-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 88A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4410TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4410TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4410TRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 200W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA16N50_F109
仓库库存编号:
FQA16N50_F109-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP064N
仓库库存编号:
AUIRFP064N-ND
别名:SP001520104
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 370A(Tc) 200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C404NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C404NLAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C404NLAFT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 287A (Tc) 200W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C604NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C604NLAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C604NLAFT1GOSCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXFA3N120TRL
仓库库存编号:
IXFA3N120TRLCT-ND
别名:IXFA3N120TRLCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTA3N120HV
仓库库存编号:
IXTA3N120HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 106A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3808STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3808STRLPBFCT-ND
别名:IRF3808STRLPBFCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 200W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18542KCS
仓库库存编号:
296-42271-5-ND
别名:296-42271-5
CSD18542KCS-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75339P3
仓库库存编号:
HUF75339P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75639P3
仓库库存编号:
HUF75639P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 140A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL3803PBF
仓库库存编号:
IRL3803PBF-ND
别名:*IRL3803PBF
SP001557982
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 200W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK7J90E,S1E
仓库库存编号:
TK7J90ES1E-ND
别名:TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP3N120
仓库库存编号:
IXFP3N120-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 200W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75639S3ST
仓库库存编号:
HUF75639S3STCT-ND
别名:HUF75639S3STCT
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3710LPBF
仓库库存编号:
IRF3710LPBF-ND
别名:*IRF3710LPBF
SP001551048
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 41A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB41N15DPBF
仓库库存编号:
IRFB41N15DPBF-ND
别名:*IRFB41N15DPBF
SP001575564
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 130A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL1004PBF
仓库库存编号:
IRL1004PBF-ND
别名:*IRL1004PBF
SP001567104
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 131A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 131A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP70060E-GE3
仓库库存编号:
SUP70060E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 200W(Tc),
无铅
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