规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2-03-ND
别名：SP000012468
SPP80N03S203X
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N03S2L-03-ND
别名：SP000012469
SPP80N03S2L03X
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-04
仓库库存编号：
SPP80N04S2-04-ND
别名：SP000012470
SPP80N04S204
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2-H4
仓库库存编号：
SPP80N04S2-H4-ND
别名：SP000013150
SPP80N04S2H4
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N04S2L-03-ND
别名：SP000012472
SPP80N04S2L03
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-05
仓库库存编号：
SPP80N06S2-05-ND
别名：SP000012473
SPP80N06S205
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-H5
仓库库存编号：
SPP80N06S2-H5-ND
别名：SP000014000
SPP80N06S2H5
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-05-ND
别名：SP000012474
SPP80N06S2L05
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-H5
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-H5-ND
别名：SP000014001
SPP80N06S2LH5
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N08S2-07
仓库库存编号：
SPP80N08S2-07-ND
别名：SP000012475
SPP80N08S207
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N08S2L-07
仓库库存编号：
SPP80N08S2L-07-ND
别名：SP000012476
SPP80N08S2L07
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号：
IPB048N06LGATMA1CT-ND
别名：IPB048N06LG
IPB048N06LGINCT
IPB048N06LGINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB050N06NGATMA1
仓库库存编号：
IPB050N06NGATMA1CT-ND
别名：IPB050N06NG
IPB050N06NGINCT
IPB050N06NGINCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP04CN10NG
仓库库存编号：
IPP04CN10NGIN-ND
别名：IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
64-2096PBF
仓库库存编号：
64-2096PBFCT-ND
别名：IRF2907ZSTRL7PPCT
IRF2907ZSTRL7PPCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRF3805LPBF
仓库库存编号：
IRF3805LPBF-ND
别名：SP001574608
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 130A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4310PBF
仓库库存编号：
IRFSL4310PBF-ND
别名：AUXCLFSL4310
AUXCLFSL4310-ND
SP001550204
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 75V 160A（Tc） 300W（Tc） TO-262
型号：
IRF2907ZLPBF
仓库库存编号：
IRF2907ZLPBF-ND
别名：SP001576784
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 160A（Tc） 300W（Tc） D2PAK（7-Lead）
型号：
IRF3805L-7PPBF
仓库库存编号：
IRF3805L-7PPBF-ND
别名：SP001576702
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB05CN10N G
仓库库存编号：
IPB05CN10N G-ND
别名：SP000096440
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2-04
IPB100N04S2-04-ND
SP000219061
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB100N04S2L-03
IPB100N04S2L-03-ND
SP000219065
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2-05
IPB100N06S2-05-ND
SP000218874
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB100N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB100N06S2L-05
IPB100N06S2L-05-ND
SP000219003
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
规格：功率耗散（最大值） 300W（Tc）,
无铅
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