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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC110N10P
  仓库库存编号：IXFC110N10P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 7A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 7A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC12N80P
  仓库库存编号：IXFC12N80P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 35A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 35A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC74N20P
  仓库库存编号：IXFC74N20P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 42A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC96N15P
  仓库库存编号：IXFC96N15P-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.2A（Ta），44A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3672
  仓库库存编号：FDB3672-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M006A065CH
  仓库库存编号：GP1M006A065CH-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 5.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M006A065PH
  仓库库存编号：GP1M006A065PH-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M008A050PG
  仓库库存编号：GP1M008A050PG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M007A065HG
  仓库库存编号：GP2M007A065HG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP2M008A060CG
  仓库库存编号：GP2M008A060CG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP2M008A060HG
  仓库库存编号：GP2M008A060HG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M008A060PG
  仓库库存编号：GP2M008A060PG-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.5A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M007A065CG
  仓库库存编号：1560-1163-2-ND
  别名：1560-1163-2
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
  
  型号：GP1M008A050CG
  仓库库存编号：1560-1167-1-ND
  别名：1560-1167-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 120W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M008A050HG
  仓库库存编号：1560-1169-5-ND
  别名：1560-1169-1
  1560-1169-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 120W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP2M008A060PGH
  仓库库存编号：1560-1205-5-ND
  别名：1560-1205-1
  1560-1205-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 20A（Ta） 120W（Tc） TO-3P
  
  型号：2SK1518-E
  仓库库存编号：2SK1518-E-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 53A（Tc） 120W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP044N
  仓库库存编号：IRFP044N-ND
  别名：*IRFP044N
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 90A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 90A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3709
  仓库库存编号：IRFU3709-ND
  别名：*IRFU3709
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BTS247Z E3062A
  仓库库存编号：BTS247Z E3062A-ND
  别名：BTS247ZE3062AATMA1
  BTS247ZE3062ANT
  BTS247ZE3062AT
  BTS247ZE3062AT-ND
  SP000012187
  SP000399010
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 52A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 52A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP52N06T,127
  仓库库存编号：PHP52N06T,127-ND
  别名：934056885127
  PHP52N06T
  PHP52N06T-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP71NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP71NQ03LT,127-ND
  别名：934057025127
  PHP71NQ03LT
  PHP71NQ03LT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO220-5-3
  
  型号：BTS247ZAKSA1
  仓库库存编号：BTS247ZAKSA1-ND
  别名：BTS247Z
  BTS247Z-ND
  BTS247ZNK
  SP000012184
  SP000468058
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5
  
  型号：BTS247ZE3043AKSA1
  仓库库存编号：BTS247ZE3043AKSA1-ND
  别名：BTS247Z E3043
  BTS247Z E3043-ND
  BTS247ZE3043
  BTS247ZE3043NK
  SP000012185
  SP000399008
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 30A（Tc） 120W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR2908
  仓库库存编号：AUIRLR2908-ND
  别名：SP001518234
  
  规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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