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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6024ENZC8
仓库库存编号：
R6024ENZC8-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6015ENZC8
仓库库存编号：
R6015ENZC8-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 120W（Tc） TO-220
型号：
STP80N6F6
仓库库存编号：
497-13976-5-ND
别名：497-13976-5
STP80N6F6-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 120W（Tc） DPAK
型号：
STD100N10F7
仓库库存编号：
497-13548-1-ND
别名：497-13548-1
497-13548-5
497-13548-5-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 120W（Tc） DPAK
型号：
STD105N10F7AG
仓库库存编号：
497-15305-1-ND
别名：497-15305-1
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 11.5A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP12P20
仓库库存编号：
FQP12P20-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N10CP ROGTR-ND
别名：TSM70N10CP ROGTR
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N10CP ROGCT-ND
别名：TSM70N10CP ROGCT
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 120W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM70N10CP ROG
仓库库存编号：
TSM70N10CP ROGDKR-ND
别名：TSM70N10CP ROGDKR
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 120W（Tc） DPAK
型号：
PHD71NQ03LT,118
仓库库存编号：
1727-1545-1-ND
别名：1727-1545-1
568-11061-1
568-11061-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 120W（Tc） DPAK
型号：
PHD71NQ03LT,118
仓库库存编号：
1727-1545-6-ND
别名：1727-1545-6
568-11061-6
568-11061-6-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP100N04-3M6_GE3
仓库库存编号：
SQP100N04-3M6_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 600V 46A（Ta） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
R6046ANZC8
仓库库存编号：
R6046ANZC8-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 30A（Tc） 120W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRLU3915PBF
仓库库存编号：
IRLU3915PBF-ND
别名：*IRLU3915PBF
SP001578942
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3007SPBF
仓库库存编号：
IRF3007SPBF-ND
别名：*IRF3007SPBF
SP001553924
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 62A（Tc） 120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3007STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3007STRLPBFTR-ND
别名：IRF3007STRLPBFTR
SP001563186
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO263-5
型号：
BTS247ZE3062AATMA2
仓库库存编号：
BTS247ZE3062AATMA2-ND
别名：SP000910846
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
HRFZ44N
仓库库存编号：
HRFZ44N-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540N_R4942
仓库库存编号：
IRF540NFS-ND
别名：IRF540N_R4942-ND
IRF540NFS
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 18A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 120W（Tc） TO-3P
型号：
FQA17P10
仓库库存编号：
FQA17P10-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75631S3S
仓库库存编号：
HUF75631S3S-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75631P3
仓库库存编号：
HUF75631P3-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 600V 11.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF19N60
仓库库存编号：
FQAF19N60-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.2A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 900V 7.2A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF11N90
仓库库存编号：
FQAF11N90-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 9.5A TO-3PF
详细描述：通孔 N 沟道 700V 9.5A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
型号：
FQAF15N70
仓库库存编号：
FQAF15N70-ND
规格：功率耗散（最大值） 120W（Tc）,
无铅
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