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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-23
  
  型号：IPC100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S402ATMA1-ND
  别名：SP001007758
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD90N06S4L03ATMA2
  仓库库存编号：IPD90N06S4L03ATMA2-ND
  别名：SP001028764
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD100N06S403ATMA2
  仓库库存编号：IPD100N06S403ATMA2-ND
  别名：SP001028766
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S404ATMA2
  仓库库存编号：IPB90N06S404ATMA2-ND
  别名：SP001028754
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB90N04S402ATMA1TR-ND
  别名：IPB90N04S4-02
  IPB90N04S4-02-ND
  SP000646182
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90N06S404AKSA1
  仓库库存编号：IPI90N06S404AKSA1-ND
  别名：IPI90N06S4-04
  IPI90N06S4-04-ND
  SP000379633
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD050N10N5ATMA1
  仓库库存编号：IPD050N10N5ATMA1-ND
  别名：SP001602184
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB90N06S4L04ATMA2
  仓库库存编号：IPB90N06S4L04ATMA2-ND
  别名：SP001028756
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI90N06S4L04AKSA2
  仓库库存编号：IPI90N06S4L04AKSA2-ND
  别名：SP001028760
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB80N08S406ATMA1
  仓库库存编号：IPB80N08S406ATMA1-ND
  别名：SP000984296
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB065N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB065N10N3GATMA1-ND
  别名：SP001232588
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET P-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180P04P403ATMA1
  仓库库存编号：IPB180P04P403ATMA1-ND
  别名：SP000840202
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP80N08S406AKSA1
  仓库库存编号：IPP80N08S406AKSA1-ND
  别名：SP000984298
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI80N08S406AKSA1
  仓库库存编号：IPI80N08S406AKSA1-ND
  别名：SP000984300
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI072N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPI072N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPI072N10N3 G
  IPI072N10N3 G-ND
  IPI072N10N3G
  SP000469900
  SP000680674
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP23NM60N
  仓库库存编号：497-7517-5-ND
  别名：497-7517-5
  STP23NM60N-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 15.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NM65N
  仓库库存编号：497-7025-5-ND
  别名：497-7025-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NE06-16
  仓库库存编号：497-2770-5-ND
  别名：497-2770-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NE06-10
  仓库库存编号：497-2778-5-ND
  别名：497-2778-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 80V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP50NE08
  仓库库存编号：497-2787-5-ND
  别名：497-2787-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 600V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12NK60Z
  仓库库存编号：497-4817-5-ND
  别名：497-4817-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB60NE06L-16T4
  仓库库存编号：STB60NE06L-16T4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NE03L-06T4
  仓库库存编号：STB80NE03L-06T4-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 60A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP60NE06L-16
  仓库库存编号：STP60NE06L-16-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 30V 80A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP80NE03L-06
  仓库库存编号：STP80NE03L-06-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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