规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
型号：
STW25N60M2-EP
仓库库存编号：
STW25N60M2-EP-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 7.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP9NK80Z
仓库库存编号：
497-5133-5-ND
别名：497-5133-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP17NK40Z
仓库库存编号：
497-12610-5-ND
别名：497-12610-5
STP17NK40Z-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI11NM80
仓库库存编号：
497-13106-5-ND
别名：497-13106-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 250V 14A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD458
仓库库存编号：
785-1353-1-ND
别名：785-1353-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
HUF76629D3ST_F085
仓库库存编号：
HUF76629D3ST_F085CT-ND
别名：HUF76629D3ST_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD468
仓库库存编号：
785-1354-1-ND
别名：785-1354-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 300V 11.5A TO252
详细描述：通孔 N 沟道 11.5A（Tc） 150W（Tc） TO-251A
型号：
AOI468
仓库库存编号：
785-1387-5-ND
别名：785-1387-1
785-1387-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 20A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 20A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
PHB20NQ20T,118
仓库库存编号：
1727-7201-1-ND
别名：1727-7201-1
568-9692-1
568-9692-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
N-CHANNEL_30/40V
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8-34
型号：
IPC100N04S5L1R1ATMA1
仓库库存编号：
IPC100N04S5L1R1ATMA1CT-ND
别名：IPC100N04S5L1R1ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 200A（Tc） 150W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
型号：
SQJQ402E-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ402E-T1_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 61A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP3652
仓库库存编号：
FDP3652-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N02-3M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM100N02-3M5L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP50P03-07_GE3
仓库库存编号：
SQP50P03-07_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 P 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM40P10-40L_GE3
仓库库存编号：
SQM40P10-40L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50N04-4M0L_GE3
仓库库存编号：
SQM50N04-4M0L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P04-09L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P04-09L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P06-15L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P06-15L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P08-25L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P08-25L_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50N04-4M1_GE3
仓库库存编号：
SQM50N04-4M1_GE3-ND
别名：SQM50N04-4M1-GE3
SQM50N04-4M1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552_F085
仓库库存编号：
FDB2552_F085CT-ND
别名：FDB2552_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP90N055T2
仓库库存编号：
IXTP90N055T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA100N04T2
仓库库存编号：
IXTA100N04T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 70A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA70N075T2
仓库库存编号：
IXTA70N075T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 90A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA90N055T2
仓库库存编号：
IXTA90N055T2-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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