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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.5A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB19NM65N
  仓库库存编号：497-7001-1-ND
  别名：497-7001-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60M2
  仓库库存编号：497-13575-1-ND
  别名：497-13575-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB32N65M5
  仓库库存编号：497-10564-1-ND
  别名：497-10564-1
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN130-200D,118
  仓库库存编号：1727-6296-1-ND
  别名：1727-6296-1
  568-8114-1
  568-8114-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD100N04S402ATMA1
  仓库库存编号：IPD100N04S402ATMA1CT-ND
  别名：IPD100N04S402ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN063-150D,118
  仓库库存编号：1727-2164-1-ND
  别名：1727-2164-1
  568-11936-1
  568-11936-1-ND
  568-12326-1-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：IPC100N04S51R2ATMA1
  仓库库存编号：IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
  别名：IPC100N04S51R2ATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC13DN30NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC13DN30NSFDATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC350N20NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC350N20NSFDATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 150W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC670N25NSFDATMA1
  仓库库存编号：BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
  别名：BSC670N25NSFDATMA1CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 120A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP160N4LF6
  仓库库存编号：497-15556-5-ND
  别名：497-15556-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP100N10F7
  仓库库存编号：497-13550-5-ND
  别名：497-13550-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB2552
  仓库库存编号：FDB2552CT-ND
  别名：FDB2552CT
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ44RPBF
  仓库库存编号：IRFZ44RPBF-ND
  别名：*IRFZ44RPBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ44PBF
  仓库库存编号：IRLZ44PBF-ND
  别名：*IRLZ44PBF
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP40NF10
  仓库库存编号：497-3188-5-ND
  别名：497-3188-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP13NK60Z
  仓库库存编号：497-3182-5-ND
  别名：497-3182-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP4N100Q
  仓库库存编号：IXFP4N100Q-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP25N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15892-5-ND
  别名：497-15892-5
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF640NPBF
  仓库库存编号：IRF640NPBF-ND
  别名：*IRF640NPBF
  SP001570078
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 72A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ48VPBF
  仓库库存编号：IRFZ48VPBF-ND
  别名：*IRFZ48VPBF
  SP001550284
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP072N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP072N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP072N10N3 G
  IPP072N10N3 G-ND
  IPP072N10N3G
  SP000680830
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF640NLPBF
  仓库库存编号：IRF640NLPBF-ND
  别名：*IRF640NLPBF
  SP001563296
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 10.5A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA9P25
  仓库库存编号：FQA9P25FS-ND
  别名：FQA9P25-ND
  FQA9P25FS
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP100N04T2
  仓库库存编号：IXTP100N04T2-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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