规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 150W（Tc） DPAK
型号：
PSMN025-100D,118
仓库库存编号：
1727-6295-1-ND
别名：1727-6295-1
568-8113-1
568-8113-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ44PBF
仓库库存编号：
IRFZ44PBF-ND
别名：*IRFZ44PBF
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540PBF
仓库库存编号：
IRF540PBF-ND
别名：*IRF540PBF
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL540PBF
仓库库存编号：
IRL540PBF-ND
别名：*IRL540PBF
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP40NF10L
仓库库存编号：
497-6741-5-ND
别名：497-6741-5
STP40NF10L-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 20A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP240PBF
仓库库存编号：
IRFP240PBF-ND
别名：*IRFP240PBF
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB11NM80T4
仓库库存编号：
497-4319-1-ND
别名：497-4319-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP6N120K3
仓库库存编号：
497-12123-ND
别名：497-12123
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 150W（Tc） TO-247
型号：
STW6N120K3
仓库库存编号：
497-12124-ND
别名：497-12124
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW11NM80
仓库库存编号：
497-4420-5-ND
别名：497-4420-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF640NSTRLPBFCT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-5
型号：
SPD50P03L G
仓库库存编号：
SPD50P03LGINCT-ND
别名：SPD50P03LGINCT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N08N3 G
仓库库存编号：
IPB054N08N3 GCT-ND
别名：IPB054N08N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD053N08N3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD200N15N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD200N15N3GATMA1CT-ND
别名：IPD200N15N3GATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB200N15N3 G
仓库库存编号：
IPB200N15N3 GCT-ND
别名：IPB200N15N3 GCT
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 70A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
RFP70N06
仓库库存编号：
RFP70N06-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9540PBF
仓库库存编号：
IRF9540PBF-ND
别名：*IRF9540PBF
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA8N50P
仓库库存编号：
IXTA8N50P-ND
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP9240PBF
仓库库存编号：
IRFP9240PBF-ND
别名：*IRFP9240PBF
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB28NM50N
仓库库存编号：
497-10704-1-ND
别名：497-10704-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
STW14NK50Z
仓库库存编号：
497-3258-5-ND
别名：497-3258-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 19.5A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB23NM60ND
仓库库存编号：
497-8472-1-ND
别名：497-8472-1
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-220
型号：
STP24N60M2
仓库库存编号：
497-13556-5-ND
别名：497-13556-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 11A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
STP11NM80
仓库库存编号：
497-4369-5-ND
别名：497-4369-5
规格：功率耗散（最大值） 150W（Tc）,
无铅
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