规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM70N750CH C5G
仓库库存编号：
TSM70N750CH C5G-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 62.5W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM60NB380CF C0G
仓库库存编号：
TSM60NB380CF C0G-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS401ENW-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS401ENW-T1_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS423EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS423EN-T1_GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA66DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA66DP-T1-GE3-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 62.5A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 62.5A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH955L,115
仓库库存编号：
PH955L,115-ND
别名：934058856115
PH955L T/R
PH955L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 94.5A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH4840S,115
仓库库存编号：
1727-3053-1-ND
别名：1727-3053-1
568-2180-1
568-2180-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名：IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名：SP001117748
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 5.8A（Tc） 62.5W（Tc） Thin-Pak（8x8）
型号：
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号：
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名：SP000949266
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000928260
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPI65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPI65R660CFD
IPI65R660CFD-ND
SP000861696
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDXKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDXKSA1-ND
别名：IPP65R660CFD
IPP65R660CFD-ND
SP000745026
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
型号：
IPB65R660CFDAATMA1
仓库库存编号：
IPB65R660CFDAATMA1-ND
别名：SP000875794
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP65R660CFDAAKSA1
仓库库存编号：
IPP65R660CFDAAKSA1-ND
别名：SP000875802
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 700V 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R660CFDFKSA1
仓库库存编号：
IPW65R660CFDFKSA1-ND
别名：IPW65R660CFD
IPW65R660CFD-ND
SP000861700
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH3330L,115
仓库库存编号：
PH3330L,115-ND
别名：934058817115
PH3330L T/R
PH3330L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 76.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH6030L,115
仓库库存编号：
PH6030L,115-ND
别名：934061643115
PH6030L T/R
PH6030L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 95.9A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 95.9A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH4330L,115
仓库库存编号：
PH4330L,115-ND
别名：934061961115
PH4330L T/R
PH4330L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2525L,115
仓库库存编号：
PH2525L,115-ND
别名：934060898115
PH2525L T/R
PH2525L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 67A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH8230E,115
仓库库存编号：
1727-3123-1-ND
别名：1727-3123-1
568-2350-1
568-2350-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH2520U,115
仓库库存编号：
1727-3050-1-ND
别名：1727-3050-1
568-2176-1
568-2176-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 63A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 63A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH9930L,115
仓库库存编号：
PH9930L,115-ND
别名：934061155115
PH9930L T/R
PH9930L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 81.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH5525L,115
仓库库存编号：
PH5525L,115-ND
别名：934060924115
PH5525L T/R
PH5525L T/R-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 78.7A（Tc） 62.5W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PH6325L,115
仓库库存编号：
1727-3054-1-ND
别名：1727-3054-1
568-2181-1
568-2181-1-ND
规格：功率耗散（最大值） 62.5W（Tc）,
无铅
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