规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 65A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 65A（Ta） 65W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
RJK0346DPA-01#J0B
仓库库存编号：
RJK0346DPA-01#J0B-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 6A MP3A
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6A（Ta） 65W（Tc） MP-3A
型号：
RJK5033DPD-00#J2
仓库库存编号：
RJK5033DPD-00#J2TR-ND
别名：RJK5033DPD-00#J2-ND
RJK5033DPD-00#J2TR
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0653DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0653DPB-00#J5CT-ND
别名：RJK0653DPB-00#J5CT
RJK0653DPB00J5
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0853DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0853DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0853DPB-00#J5-ND
RJK0853DPB-00#J5TR
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 60A 5-LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Ta） 65W（Tc） 5-LFPAK
型号：
RJK0301DPB-02#J0
仓库库存编号：
RJK0301DPB-02#J0-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK2076DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK2076DPA-00#J5A-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0456DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0456DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0456DPB-00#J5-ND
RJK0456DPB-00#J5TR
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0656DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0656DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0656DPB-00#J5-ND
RJK0656DPB-00#J5TR
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0856DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0856DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0856DPB-00#J5-ND
RJK0856DPB-00#J5TR
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） LFPAK
型号：
RJK1056DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK1056DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK1056DPB-00#J5-ND
RJK1056DPB-00#J5TR
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK1575DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK1575DPA-00#J5A-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
型号：
RJK1576DPA-00#J5A
仓库库存编号：
RJK1576DPA-00#J5A-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN7R0-40LS,115
仓库库存编号：
568-5595-1-ND
别名：568-5595-1
PSMN7R040LS115
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 34A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN023-80LS,115
仓库库存编号：
568-5583-1-ND
别名：568-5583-1
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 15.5A（Ta） 65W（Tc） I-Pak
型号：
NTD20P06L-001
仓库库存编号：
NTD20P06L-001OS-ND
别名：NTD20P06L-001OS
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP120AN15A0
仓库库存编号：
FDP120AN15A0-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17N08L
仓库库存编号：
FQP17N08L-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 16.5A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17N08
仓库库存编号：
FQP17N08-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK
详细描述：通孔 P 沟道 60V 15.5A（Ta） 65W（Tc） I-Pak
型号：
NTD20P06L-1G
仓库库存编号：
NTD20P06L-1G-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
型号：
2SK3127(TE24L,Q)
仓库库存编号：
2SK3127(TE24L,Q)-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 40A（Tc） 65W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP5680
仓库库存编号：
FDP5680-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 45A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
型号：
2SK2266(TE24R,Q)
仓库库存编号：
2SK2266(TE24R,Q)-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
详细描述：通孔 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220FL
型号：
2SK3309(Q)
仓库库存编号：
2SK3309(Q)-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
详细描述：表面贴装 N 沟道 450V 10A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
型号：
2SK3309(TE24L,Q)
仓库库存编号：
2SK3309(TE24L,Q)-ND
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 40A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN014-60LS,115
仓库库存编号：
568-5308-1-ND
别名：568-5308-1
PSMN01460LS115
规格：功率耗散（最大值） 65W（Tc）,
无铅
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