规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214TR
仓库库存编号:
IRFR9214TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2.7A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9214TRR
仓库库存编号:
IRFR9214TRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 1.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9310TRL
仓库库存编号:
IRFR9310TRL-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 1.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9310TRR
仓库库存编号:
IRFR9310TRR-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.4A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
IRFR120_R4941
仓库库存编号:
IRFR120FS-ND
别名:IRFR120_R4941-ND
IRFR120FS
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 4.6A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU220_R4941
仓库库存编号:
IRFU220FS-ND
别名:IRFU220_R4941-ND
IRFU220FS
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD10N20CTF
仓库库存编号:
FQD10N20CTF-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76013D3S
仓库库存编号:
HUF76013D3S-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 20A(Tc) 50W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76013D3ST
仓库库存编号:
HUF76013D3ST-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 20A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 20A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF76013P3
仓库库存编号:
HUF76013P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20
仓库库存编号:
FQPF12P20-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF12P20XDTU
仓库库存编号:
FQPF12P20XDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 11.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 11.8A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N20T
仓库库存编号:
FQPF19N20T-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V 32A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 120V 32A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF32N12V2
仓库库存编号:
FQPF32N12V2-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF16N25
仓库库存编号:
FQPF16N25-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 8.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 8.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF14N30
仓库库存编号:
FQPF14N30-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220F-3
型号:
FQPF10N60CYDTU
仓库库存编号:
FQPF10N60CYDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9N50YDTU
仓库库存编号:
FQPF9N50YDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N50T
仓库库存编号:
FQPF9N50T-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N50
仓库库存编号:
FQPF9N50-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8780
仓库库存编号:
FDU8780-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8782
仓库库存编号:
FDU8782-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.9A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FCD4N60TF
仓库库存编号:
FCD4N60TFCT-ND
别名:FCD4N60TFCT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU3N60CTU
仓库库存编号:
FQU3N60CTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 15A(Ta) 50W(Tc) 4-LDPAK
型号:
HAF1002-90STL-E
仓库库存编号:
HAF1002-90STL-E-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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