规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 50W(Tc) LPTS
型号:
R5009ANJTL
仓库库存编号:
R5009ANJTL-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA1N100P
仓库库存编号:
IXTA1N100P-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N100P
仓库库存编号:
IXTP1N100P-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 25A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF25S65
仓库库存编号:
AOTF25S65-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N80PM
仓库库存编号:
IXFP7N80PM-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP12N50PM
仓库库存编号:
IXFP12N50PM-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Tc) 50W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA08N120P
仓库库存编号:
IXTA08N120P-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP08N120P
仓库库存编号:
IXTP08N120P-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP12N50PM
仓库库存编号:
IXTP12N50PM-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP10N60PM
仓库库存编号:
IXTP10N60PM-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK14A55D(STA4QM)-ND
别名:TK14A55D(STA4QM)
TK14A55DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A60D(STA4QM)-ND
别名:TK15A60D(STA4QM)
TK15A60DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK18A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK18A50D(STA4QM)-ND
别名:TK18A50D(STA4QM)
TK18A50DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK19A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK19A45D(STA4QM)-ND
别名:TK19A45D(STA4QM)
TK19A45DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R5016ANX
仓库库存编号:
R5016ANX-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S54R6ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S54R6ATMA1-ND
别名:SP001418124
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 50W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC70N04S5L4R2ATMA1-ND
别名:SP001418126
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB04N50C3ATMA1
仓库库存编号:
SPB04N50C3ATMA1TR-ND
别名:SP000014477
SPB04N50C3
SPB04N50C3-ND
SPB04N50C3INTR
SPB04N50C3INTR-ND
SPB04N50C3XT
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681024
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 2A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD1HNC60T4
仓库库存编号:
497-2485-1-ND
别名:497-2485-1
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 300V 5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NK30Z
仓库库存编号:
STP7NK30Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 300V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 5A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
STD7NK30Z
仓库库存编号:
STD7NK30Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Tc) 50W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN9R0-30LL,115
仓库库存编号:
568-5597-1-ND
别名:568-5597-1
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF620
仓库库存编号:
IRF620IR-ND
别名:*IRF620
IRF620IR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 2.5A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF820
仓库库存编号:
IRF820IR-ND
别名:*IRF820
IRF820IR
规格:功率耗散(最大值) 50W(Tc),
含铅
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