规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 25A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 25A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP25N06S3L-22
仓库库存编号：
IPP25N06S3L-22IN-ND
别名：IPP25N06S3L-22-ND
IPP25N06S3L-22IN
IPP25N06S3L22X
IPP25N06S3L22XK
SP000087993
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10
仓库库存编号：
SPB10N10-ND
别名：SP000013845
SPB10N10T
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10 G
仓库库存编号：
SPB10N10 G-ND
别名：SP000102168
SPB10N10GXT
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10L
仓库库存编号：
SPB10N10L-ND
别名：SP000013836
SPB10N10LT
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI10N10
仓库库存编号：
SPI10N10-ND
别名：SP000013846
SPI10N10X
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI10N10L
仓库库存编号：
SPI10N10L-ND
别名：SP000013850
SPI10N10LX
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP04N60S5BKSA1
仓库库存编号：
SPP04N60S5BKSA1-ND
别名：SP000012363
SP000681026
SPP04N60S5
SPP04N60S5-ND
SPP04N60S5IN
SPP04N60S5IN-ND
SPP04N60S5X
SPP04N60S5XK
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP10N10
仓库库存编号：
SPP10N10-ND
别名：SP000013844
SPP10N10X
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP10N10L
仓库库存编号：
SPP10N10L-ND
别名：SP000013849
SPP10N10LX
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPU04N60S5BKMA1
仓库库存编号：
SPU04N60S5BKMA1-ND
别名：SP000012424
SPU04N60S5
SPU04N60S5-ND
SPU04N60S5IN
SPU04N60S5IN-ND
SPU04N60S5X
SPU04N60S5XK
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO251-3
型号：
SPU11N10
仓库库存编号：
SPU11N10-ND
别名：SP000013848
SPU11N10X
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB04N60S5ATMA1
仓库库存编号：
SPB04N60S5ATMA1CT-ND
别名：SPB04N60S5INCT
SPB04N60S5INCT-ND
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10L G
仓库库存编号：
SPB10N10LGINCT-ND
别名：SPB10N10LG
SPB10N10LGINCT
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60S5
仓库库存编号：
SPD04N60S5INCT-ND
别名：SPD04N60S5INCT
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 56A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707ZCTRLP
仓库库存编号：
IRFR3707ZCTRLP-ND
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
型号：
SPS04N60C3BKMA1
仓库库存编号：
SPS04N60C3BKMA1-ND
别名：SP000086711
SP000307419
SPS04N60C3
SPS04N60C3-ND
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 50W（Tc）
型号：
IPD50N06S4L12ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
别名：IPD50N06S4L12ATMA1CT
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04N60S5BTMA1
仓库库存编号：
SPD04N60S5BTMA1-ND
别名：SP000313946
规格：功率耗散（最大值） 50W（Tc）,
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